2GB Registered SDRAM DIMM
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | ELPIDA |
零件包装代码 | DIMM |
包装说明 | DIMM, DIMM168 |
针数 | 168 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | 5.4 ns |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK) | 133 MHz |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-XDMA-N168 |
内存密度 | 19327352832 bi |
内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM MODULE |
内存宽度 | 72 |
湿度敏感等级 | 1 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 168 |
字数 | 268435456 words |
字数代码 | 256000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 256MX72 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装代码 | DIMM |
封装等效代码 | DIMM168 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 |
电源 | 3.3 V |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 8192 |
自我刷新 | YES |
最大待机电流 | 0.911 A |
最大压摆率 | 9.695 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子形式 | NO LEAD |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
EBS21RC2ACNA-75 | EBS21RC2ACNA | EBS21RC2ACNA-7A | |
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描述 | 2GB Registered SDRAM DIMM | 2GB Registered SDRAM DIMM | 2GB Registered SDRAM DIMM |
是否Rohs认证 | 不符合 | - | 不符合 |
厂商名称 | ELPIDA | - | ELPIDA |
零件包装代码 | DIMM | - | DIMM |
包装说明 | DIMM, DIMM168 | - | DIMM, DIMM168 |
针数 | 168 | - | 168 |
Reach Compliance Code | unknow | - | unknow |
ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 |
访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST | - | DUAL BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | 5.4 ns | - | 5.4 ns |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH | - | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK) | 133 MHz | - | 133 MHz |
I/O 类型 | COMMON | - | COMMON |
JESD-30 代码 | R-XDMA-N168 | - | R-XDMA-N168 |
内存密度 | 19327352832 bi | - | 19327352832 bi |
内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM MODULE | - | SYNCHRONOUS DRAM MODULE |
内存宽度 | 72 | - | 72 |
湿度敏感等级 | 1 | - | 1 |
功能数量 | 1 | - | 1 |
端口数量 | 1 | - | 1 |
端子数量 | 168 | - | 168 |
字数 | 268435456 words | - | 268435456 words |
字数代码 | 256000000 | - | 256000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | - | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | - | 70 °C |
组织 | 256MX72 | - | 256MX72 |
输出特性 | 3-STATE | - | 3-STATE |
封装主体材料 | UNSPECIFIED | - | UNSPECIFIED |
封装代码 | DIMM | - | DIMM |
封装等效代码 | DIMM168 | - | DIMM168 |
封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | - | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 | - | 225 |
电源 | 3.3 V | - | 3.3 V |
认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified |
刷新周期 | 8192 | - | 8192 |
自我刷新 | YES | - | YES |
最大待机电流 | 0.911 A | - | 0.911 A |
最大压摆率 | 9.695 mA | - | 10.775 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | - | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V | - | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | - | 3.3 V |
表面贴装 | NO | - | NO |
技术 | CMOS | - | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | - | COMMERCIAL |
端子形式 | NO LEAD | - | NO LEAD |
端子节距 | 1.27 mm | - | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL | - | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
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