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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> EBE11ED8ABFA-5C-E
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EBE11ED8ABFA-5C-E

产品描述1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM (128M words x 72 bits, 2 Ranks)
产品类别存储    存储   
文件大小177KB，共22页
制造商ELPIDA
官网地址http://www.elpida.com/en
标准
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EBE11ED8ABFA-5C-E概述

1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM (128M words x 72 bits, 2 Ranks)

EBE11ED8ABFA-5C-E规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ELPIDA
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM, DIMM240,40
针数240
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间0.5 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)267 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N240
内存密度9663676416 bi
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度72
功能数量1
端口数量1
端子数量240
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度
组织128MX72
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM240,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）260
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
自我刷新YES
最大压摆率3.465 mA
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式NO LEAD
端子节距1 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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DATA SHEET
1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM
EBE11ED8ABFA
(128M words
×
72 bits, 2 Ranks)
Description
The EBE11ED8ABFA is 128M words
×
72 bits, 2 ranks
DDR2 SDRAM unbuffered module, mounting 18 pieces
of 512M bits DDR2 SDRAM sealed in FBGA (µBGA
)
package. Read and write operations are performed at
the cross points of the CK and the /CK. This high-
speed data transfer is realized by the 4 bits prefetch-
pipelined architecture. Data strobe (DQS and /DQS)
both for read and write are available for high speed and
reliable data bus design. By setting extended mode
register, the on-chip Delay Locked Loop (DLL) can be
set enable or disable. This module provides high
density mounting without utilizing surface mount
technology.
Decoupling capacitors are mounted
beside each FBGA (µBGA) on the module board.
Note: Do not push the components or drop the
modules in order to avoid mechanical defects,
which may result in electrical defects.
Features
•
240-pin socket type dual in line memory module
(DIMM)
PCB height: 30.0mm
Lead pitch: 1.0mm
Lead-free
•
1.8V power supply
•
Data rate: 533Mbps/400Mbps (max.)
•
1.8V (SSTL_18 compatible) I/O
•
Double-data-rate architecture: two data transfers per
clock cycle
•
Bi-directional, differential data strobe (DQS and
/DQS) is transmitted/received with data, to be used in
capturing data at the receiver
•
DQS is edge aligned with data for READs: center-
aligned with data for WRITEs
•
Differential clock inputs (CK and /CK)
•
DLL aligns DQ and DQS transitions with CK
transitions
•
Commands entered on each positive CK edge: data
and data mask referenced to both edges of DQS
•
Four internal banks for concurrent operation
(Component)
•
Data mask (DM) for write data
•
Burst lengths: 4, 8
•
/CAS Latency (CL): 3, 4, 5
•
Auto precharge operation for each burst access
•
Auto refresh and self refresh modes
•
7.8µs average periodic refresh interval
•
Posted CAS by programmable additive latency for
better command and data bus efficiency
•
Off-Chip-Driver Impedance Adjustment and On-Die-
Termination for better signal quality
•
/DQS can be disabled for single-ended Data Strobe
operation
Document No. E0379E40 (Ver.4.0)
Date Published August 2004 (K) Japan
URL: http://www.elpida.com
Elpida
Memory, Inc. 2003-2004

EBE11ED8ABFA-5C-E相似产品对比

EBE11ED8ABFA-5C-E EBE11ED8ABFA EBE11ED8ABFA-4A-E
描述 1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM (128M words x 72 bits, 2 Ranks) 1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM (128M words x 72 bits, 2 Ranks) 1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM (128M words x 72 bits, 2 Ranks)
是否Rohs认证 符合 - 符合
厂商名称 ELPIDA - ELPIDA
零件包装代码 DIMM - DIMM
包装说明 DIMM, DIMM240,40 - DIMM, DIMM240,40
针数 240 - 240
Reach Compliance Code unknow - unknow
ECCN代码 EAR99 - EAR99
访问模式 DUAL BANK PAGE BURST - DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.5 ns - 0.6 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH - AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 267 MHz - 200 MHz
I/O 类型 COMMON - COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N240 - R-XDMA-N240
内存密度 9663676416 bi - 9663676416 bi
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE - DDR DRAM MODULE
内存宽度 72 - 72
功能数量 1 - 1
端口数量 1 - 1
端子数量 240 - 240
字数 134217728 words - 134217728 words
字数代码 128000000 - 128000000
工作模式 SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C - 85 °C
组织 128MX72 - 128MX72
输出特性 3-STATE - 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED - UNSPECIFIED
封装代码 DIMM - DIMM
封装等效代码 DIMM240,40 - DIMM240,40
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY - MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度） 260 - 260
电源 1.8 V - 1.8 V
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
刷新周期 8192 - 8192
自我刷新 YES - YES
最大压摆率 3.465 mA - 3.24 mA
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V - 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V - 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V - 1.8 V
表面贴装 NO - NO
技术 CMOS - CMOS
温度等级 OTHER - OTHER
端子形式 NO LEAD - NO LEAD
端子节距 1 mm - 1 mm
端子位置 DUAL - DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED

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