Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> EBE10RD4ABFA-5C-E

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EBE10RD4ABFA-5C-E: 产品描述1GB Registered DDR2 SDRAM DIMM (128M words x 72 bits, 1 Rank); 产品类别存储存储; 文件大小173KB，共22页; 制造商ELPIDA; 官网地址http://www.elpida.com/en; 标准

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EBE10RD4ABFA-5C-E概述

1GB Registered DDR2 SDRAM DIMM (128M words x 72 bits, 1 Rank)

EBE10RD4ABFA-5C-E规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	ELPIDA
零件包装代码	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM240,40
针数	240
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.5 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	267 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N240
内存密度	9663676416 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE
内存宽度	72
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	240
字数	134217728 words
字数代码	128000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度
组织	128MX72
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM240,40
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
自我刷新	YES
最大待机电流	0.7 A
最大压摆率	6.25 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子形式	NO LEAD
端子节距	1 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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DATA SHEET

1GB Registered DDR2 SDRAM DIMM

EBE10RD4ABFA

(128M words

72 bits, 1 Rank)

Description

The EBE10RD4ABFA is a 128M words

72 bits, 1

rank DDR2 SDRAM Module, mounting 18 pieces of

DDR2 SDRAM sealed in FBGA (µBGA



) package.

Read and write operations are performed at the cross

points of the CK and the /CK. This high-speed data

transfer is realized by the 4bits prefetch-pipelined

architecture. Data strobe (DQS and /DQS) both for

read and write are available for high speed and reliable

data bus design. By setting extended mode register,

the on-chip Delay Locked Loop (DLL) can be set

enable or disable. This module provides high density

mounting without utilizing surface mount technology.

Decoupling capacitors are mounted beside each FBGA

(µBGA) on the module board.

Note: Do not push the components or drop the

modules in order to avoid mechanical defects,

which may result in electrical defects.

Features

•

240-pin socket type dual in line memory module

(DIMM)



PCB height: 30.0mm



Lead pitch: 1.0mm



Lead-free

•

1.8V power supply

•

Data rate: 533Mbps/400Mbps (max.)

•

1.8 V (SSTL_18 compatible) I/O

•

Double-data-rate architecture: two data transfers per

clock cycle

•

Bi-directional, data strobe (DQS and /DQS) is

transmitted /received with data, to be used in

capturing data at the receiver

•

DQS is edge aligned with data for READs; center

aligned with data for WRITEs

•

Differential clock inputs (CK and /CK)

•

DLL aligns DQ and DQS transitions with CK

transitions

•

Commands entered on each positive CK edge; data

referenced to both edges of DQS

•

Four internal banks for concurrent operation

(Component)

•

Burst length: 4, 8

•

/CAS latency (CL): 3, 4, 5

•

Auto precharge option for each burst access

•

Auto refresh and self refresh modes

•

7.8µs average periodic refresh interval

•

Posted CAS by programmable additive latency for

better command and data bus efficiency

•

Off-Chip-Driver Impedance Adjustment and On-Die-

Termination for better signal quality

•

/DQS can be disabled for single-ended Data Strobe

operation

•

1 piece of PLL clock driver, 2 pieces of register driver

and 1 piece of serial EEPROM (2k bits EEPROM) for

Presence Detect (PD)

Document No. E0366E70 (Ver. 7.0)

Date Published July 2004 (K) Japan

URL: http://www.elpida.com

Elpida

Memory, Inc. 2003-2004

EBE10RD4ABFA-5C-E相似产品对比

	EBE10RD4ABFA-5C-E	EBE10RD4ABFA-4A-E	EBE10RD4ABFA
描述	1GB Registered DDR2 SDRAM DIMM (128M words x 72 bits, 1 Rank)	1GB Registered DDR2 SDRAM DIMM (128M words x 72 bits, 1 Rank)	1GB Registered DDR2 SDRAM DIMM (128M words x 72 bits, 1 Rank)
是否Rohs认证	符合	符合	-
厂商名称	ELPIDA	ELPIDA	-
零件包装代码	DIMM	DIMM	-
包装说明	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40	-
针数	240	240	-
Reach Compliance Code	unknow	unknow	-
ECCN代码	EAR99	EAR99	-
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	-
最长访问时间	0.5 ns	0.6 ns	-
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	-
最大时钟频率 (fCLK)	267 MHz	200 MHz	-
I/O 类型	COMMON	COMMON	-
JESD-30 代码	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240	-
内存密度	9663676416 bi	9663676416 bi	-
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	-
内存宽度	72	72	-
功能数量	1	1	-
端口数量	1	1	-
端子数量	240	240	-
字数	134217728 words	134217728 words	-
字数代码	128000000	128000000	-
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	-
最高工作温度	85 °C	85 °C	-
组织	128MX72	128MX72	-
输出特性	3-STATE	3-STATE	-
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	-
封装代码	DIMM	DIMM	-
封装等效代码	DIMM240,40	DIMM240,40	-
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	-
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	-
电源	1.8 V	1.8 V	-
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-
刷新周期	8192	8192	-
自我刷新	YES	YES	-
最大待机电流	0.7 A	0.62 A	-
最大压摆率	6.25 mA	5.77 mA	-
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V	-
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	-
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	-
表面贴装	NO	NO	-
技术	CMOS	CMOS	-
温度等级	OTHER	OTHER	-
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	-
端子节距	1 mm	1 mm	-
端子位置	DUAL	DUAL	-
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-

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