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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> EBD26UC6AKSA-6B-E
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EBD26UC6AKSA-6B-E

产品描述256MB DDR SDRAM SO-DIMM (32M words x 64 bits, 2 Ranks)
产品类别存储    存储   
文件大小186KB，共19页
制造商ELPIDA
官网地址http://www.elpida.com/en
标准
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EBD26UC6AKSA-6B-E概述

256MB DDR SDRAM SO-DIMM (32M words x 64 bits, 2 Ranks)

EBD26UC6AKSA-6B-E规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ELPIDA
零件包装代码SODIMM
包装说明DIMM, DIMM200,24
针数200
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间0.7 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)166 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XZMA-N200
内存密度2147483648 bi
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量200
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM200,24
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）260
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
自我刷新YES
最大待机电流0.048 A
最大压摆率3.24 mA
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距0.6 mm
端子位置ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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PRELIMINARY DATA SHEET
256MB DDR SDRAM SO-DIMM
EBD26UC6AKSA-E
(32M words
×
64 bits, 2 Ranks)
Description
The EBD26UC6AKSA is 32M words
×
64 bits, 2 ranks
Double Data Rate (DDR) SDRAM Small Outline Dual
In-line Memory Module, mounting 8 pieces of 256M
bits DDR SDRAM sealed in TSOP package. Read and
write operations are performed at the cross points of
the CK and the /CK. This high-speed data transfer is
realized by the 2 bits prefetch-pipelined architecture.
Data strobe (DQS) both for read and write are available
for high speed and reliable data bus design. By setting
extended mode register, the on-chip Delay Locked
Loop (DLL) can be set enable or disable. This module
provides high density mounting without utilizing surface
mount technology. Decoupling capacitors are mounted
beside each TSOP on the module board.
Features
•
200-pin socket type small outline dual in line memory
module (SO-DIMM)
PCB height: 31.75mm
Lead pitch: 0.6mm
Lead-free
•
2.5V power supply
•
Data rate: 333Mbps/266Mbps (max.)
•
2.5 V (SSTL_2 compatible) I/O
•
Double Data Rate architecture; two data transfers per
clock cycle
•
Bi-directional, data strobe (DQS) is transmitted
/received with data, to be used in capturing data at
the receiver
•
Data inputs, outputs and DM are synchronized with
DQS
•
4 internal banks for concurrent operation
(Components)
•
DQS is edge aligned with data for READs; center
aligned with data for WRITEs
•
Differential clock inputs (CK and /CK)
•
DLL aligns DQ and DQS transitions with CK
transitions
•
Commands entered on each positive CK edge; data
referenced to both edges of DQS
•
Data mask (DM) for write data
•
Auto precharge option for each burst access
•
Programmable burst length: 2, 4, 8
•
Programmable /CAS latency (CL): 2, 2.5
•
Refresh cycles: (8192 refresh cycles /64ms)
7.8µs maximum average periodic refresh interval
•
2 variations of refresh
Auto refresh
Self refresh
Document No. E0605E10 (Ver. 1.0)
Date Published November 2004 (K) Japan
URL: http://www.elpida.com
Elpida
Memory , Inc. 2004

EBD26UC6AKSA-6B-E相似产品对比

EBD26UC6AKSA-6B-E EBD26UC6AKSA-7A-E EBD26UC6AKSA-E EBD26UC6AKSA-7B-E
描述 256MB DDR SDRAM SO-DIMM (32M words x 64 bits, 2 Ranks) 256MB DDR SDRAM SO-DIMM (32M words x 64 bits, 2 Ranks) 256MB DDR SDRAM SO-DIMM (32M words x 64 bits, 2 Ranks) 256MB DDR SDRAM SO-DIMM (32M words x 64 bits, 2 Ranks)
是否Rohs认证 符合 符合 - 符合
厂商名称 ELPIDA ELPIDA - ELPIDA
零件包装代码 SODIMM SODIMM - SODIMM
包装说明 DIMM, DIMM200,24 DIMM, DIMM200,24 - DIMM, DIMM200,24
针数 200 200 - 200
Reach Compliance Code unknow unknow - unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99
访问模式 DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST - DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.7 ns 0.75 ns - 0.75 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH - AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 166 MHz 133 MHz - 133 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON - COMMON
JESD-30 代码 R-XZMA-N200 R-XZMA-N200 - R-XZMA-N200
内存密度 2147483648 bi 2147483648 bi - 2147483648 bi
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE - DDR DRAM MODULE
内存宽度 64 64 - 64
功能数量 1 1 - 1
端口数量 1 1 - 1
端子数量 200 200 - 200
字数 33554432 words 33554432 words - 33554432 words
字数代码 32000000 32000000 - 32000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C - 70 °C
组织 32MX64 32MX64 - 32MX64
输出特性 3-STATE 3-STATE - 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED - UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM - DIMM
封装等效代码 DIMM200,24 DIMM200,24 - DIMM200,24
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY - MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度） 260 260 - 260
电源 2.5 V 2.5 V - 2.5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified
刷新周期 8192 8192 - 8192
自我刷新 YES YES - YES
最大待机电流 0.048 A 0.048 A - 0.048 A
最大压摆率 3.24 mA 2.8 mA - 2.8 mA
最大供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V - 2.7 V
最小供电电压 (Vsup) 2.3 V 2.3 V - 2.3 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V - 2.5 V
表面贴装 NO NO - NO
技术 CMOS CMOS - CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL - COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD - NO LEAD
端子节距 0.6 mm 0.6 mm - 0.6 mm
端子位置 ZIG-ZAG ZIG-ZAG - ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED

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