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EBD11UD8ADDA-E: 产品描述1GB DDR SDRAM SO-DIMM (128M words x64 bits, 2 Ranks); 文件大小189KB，共19页; 制造商ELPIDA; 官网地址http://www.elpida.com/en

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EBD11UD8ADDA-E概述

1GB DDR SDRAM SO-DIMM (128M words x64 bits, 2 Ranks)

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DATA SHEET

1GB DDR SDRAM SO-DIMM

EBD11UD8ADDA-E

(128M words

64 bits, 2 Ranks)

Description

The EBD11UD8ADDA is 128M words

64 bits, 2

ranks Double Data Rate (DDR) SDRAM Small Outline

Dual In-line Memory Module, mounting 16 pieces of

512M bits DDR SDRAM sealed in TCP package. Read

and write operations are performed at the cross points

of the CK and the /CK. This high-speed data transfer

is realized by the 2 bits prefetch-pipelined architecture.

Data strobe (DQS) both for read and write are available

for high speed and reliable data bus design. By setting

extended mode register, the on-chip Delay Locked

Loop (DLL) can be set enable or disable. This module

provides high density mounting without utilizing surface

mount technology. Decoupling capacitors are mounted

beside each TCP on the module board.

Note: Do not push the cover or drop the modules in

order to avoid mechanical defects, which may

result in electrical defects.

Features

•

200-pin socket type small outline dual in line memory

module (SO-DIMM)



PCB height: 31.75mm



Lead pitch: 0.6mm



Lead-free

•

2.5V power supply

•

Data rate: 333Mbps/266Mbps (max.)

•

2.5 V (SSTL_2 compatible) I/O

•

Double Data Rate architecture; two data transfers per

clock cycle

•

Bi-directional, data strobe (DQS) is transmitted

/received with data, to be used in capturing data at

the receiver

•

Data inputs, outputs and DM are synchronized with

DQS

•

4 internal banks for concurrent operation

(Components)

•

DQS is edge aligned with data for READs; center

aligned with data for WRITEs

•

Differential clock inputs (CK and /CK)

•

DLL aligns DQ and DQS transitions with CK

transitions

•

Commands entered on each positive CK edge; data

referenced to both edges of DQS

•

Data mask (DM) for write data

•

Auto precharge option for each burst access

•

Programmable burst length: 2, 4, 8

•

Programmable /CAS latency (CL): 2, 2.5

•

Refresh cycles: (8192 refresh cycles /64ms)



7.8µs maximum average periodic refresh interval

•

2 variations of refresh



Auto refresh



Self refresh

Document No. E0603E10 (Ver. 1.0)

Date Published October 2004 (K) Japan

URL: http://www.elpida.com

Elpida

Memory, Inc. 2004

EBD11UD8ADDA-E相似产品对比

	EBD11UD8ADDA-E	EBD11UD8ADDA-6B-E	EBD11UD8ADDA-7A-E	EBD11UD8ADDA-7B-E
描述	1GB DDR SDRAM SO-DIMM (128M words x64 bits, 2 Ranks)	1GB DDR SDRAM SO-DIMM (128M words x64 bits, 2 Ranks)	1GB DDR SDRAM SO-DIMM (128M words x64 bits, 2 Ranks)	1GB DDR SDRAM SO-DIMM (128M words x64 bits, 2 Ranks)
是否Rohs认证	-	符合	符合	符合
厂商名称	-	ELPIDA	ELPIDA	ELPIDA
零件包装代码	-	SODIMM	SODIMM	SODIMM
包装说明	-	DIMM, DIMM200,24	DIMM, DIMM200,24	DIMM, DIMM200,24
针数	-	200	200	200
Reach Compliance Code	-	unknow	unknow	unknow
ECCN代码	-	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	-	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	-	0.7 ns	0.75 ns	0.75 ns
其他特性	-	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	-	167 MHz	133 MHz	133 MHz
I/O 类型	-	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	-	R-XZMA-N200	R-XZMA-N200	R-XZMA-N200
内存密度	-	8589934592 bi	8589934592 bi	8589934592 bi
内存集成电路类型	-	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	-	64	64	64
功能数量	-	1	1	1
端口数量	-	1	1	1
端子数量	-	200	200	200
字数	-	134217728 words	134217728 words	134217728 words
字数代码	-	128000000	128000000	128000000
工作模式	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	-	70 °C	70 °C	70 °C
组织	-	128MX64	128MX64	128MX64
输出特性	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	-	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	-	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	-	DIMM200,24	DIMM200,24	DIMM200,24
封装形状	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	-	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	-	260	260	260
电源	-	2.5 V	2.5 V	2.5 V
认证状态	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	-	8192	8192	8192
自我刷新	-	YES	YES	YES
最大待机电流	-	0.048 A	0.048 A	0.048 A
最大压摆率	-	4.6 mA	3.88 mA	3.88 mA
最大供电电压 (Vsup)	-	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	-	2.3 V	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	-	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	-	NO	NO	NO
技术	-	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	-	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	-	0.6 mm	0.6 mm	0.6 mm
端子位置	-	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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