TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FS200R07A1E3
HybridPACK™1ModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundNTC
HybridPACK™1modulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandNTC
V
CES
= 650V
I
C nom
= 200A / I
CRM
= 400A
TypischeAnwendungen
• AnwendungenimAutomobil
• Hybrid-Elektrofahrzeuge(H)EV
• Hybrid-Nutzfahrzeuge
• Motorantriebe
ElektrischeEigenschaften
• NiedrigeSchaltverluste
• NiedrigesV
CEsat
• TrenchIGBT3
• T
vjop
=150°C
• V
CEsat
mitpositivemTemperaturkoeffizienten
MechanischeEigenschaften
• 2,5kVAC1minIsolationsfestigkeit
•
Al
2
O
3
Substrat mit kleinem thermischen
Widerstand
• HohemechanischeRobustheit
• IntegrierterNTCTemperaturSensor
• Kupferbodenplatte
• RoHSkonform
• Standardgehäuse
TypicalApplications
• AutomotiveApplications
• HybridElectricalVehicles(H)EV
• CommercialAgricultureVehicles
• MotorDrives
ElectricalFeatures
• LowSwitchingLosses
• LowV
CEsat
• TrenchIGBT3
• T
vjop
=150°C
• V
CEsat
withpositiveTemperatureCoefficient
MechanicalFeatures
• 2.5kVAC1minInsulation
• Al
2
O
3
SubstratewithLowThermalResistance
•
•
•
•
•
Highmechanicalrobustness
IntegratedNTCtemperaturesensor
CopperBasePlate
RoHScompliant
StandardHousing
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
ContentoftheCode
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
dateofpublication:2013-11-05
revision:3.1
1
ULapproved(E83335)
Digit
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
DMX-Code
preparedby:JZ
approvedby:LB
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FS200R07A1E3
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
T
vj
= 25°C
T
C
= 65°C, T
vj max
= 175°C
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
t
P
= 1 ms
T
C
= 25°C, T
vj max
= 175°C
V
CES
650
200
250
400
790
+/-20
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
CE sat
V
GEth
Q
G
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
t
d on
4,9
typ.
1,45
1,60
1,70
5,8
2,15
1,0
13,0
0,38
0,05
0,06
0,06
0,05
0,05
0,06
0,36
0,38
0,39
0,05
0,09
0,10
2,25
2,90
3,20
5,50
7,20
7,50
1400
1000
0,085
150
max.
1,90
V
V
V
V
µC
Ω
nF
nF
mA
nA
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
A
A
V
A
A
I
C nom
I
C
I
CRM
P
tot
V
GES
A
W
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
Gateladung
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Eingangskapazität
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
Kurzschlußverhalten
SCdata
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
C
= 200 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 200 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 200 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 3,20 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V ... +15 V
T
vj
= 25°C
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 650 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
I
C
= 200 A, V
CE
= 300 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 3,6
Ω
I
C
= 200 A, V
CE
= 300 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 3,6
Ω
I
C
= 200 A, V
CE
= 300 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 3,6
Ω
I
C
= 200 A, V
CE
= 300 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 3,6
Ω
6,5
1,0
400
t
r
t
d off
t
f
I
C
= 200 A, V
CE
= 300 V, L
S
= 25 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15 V, di/dt = 4200 A/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Gon
= 3,6
Ω
T
vj
= 150°C
I
C
= 200 A, V
CE
= 300 V, L
S
= 25 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15 V, du/dt = 3500 V/µs (T
vj
= 150°C) T
vj
= 125°C
R
Goff
= 3,6
Ω
T
vj
= 150°C
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 360 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
proIGBT/perIGBT
t
P
≤
8 µs, T
vj
= 25°C
t
P
≤
6 µs, T
vj
= 150°C
E
on
E
off
I
SC
R
thJC
R
thCH
T
vj op
-40
0,19 K/W
K/W
°C
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
preparedby:JZ
approvedby:LB
dateofpublication:2013-11-05
revision:3.1
2
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FS200R07A1E3
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
I²t-value
T
vj
= 25°C
t
P
= 1 ms
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
F
650
200
400
2400
2200
typ.
1,55
1,50
1,45
145
180
190
8,00
16,5
18,5
1,90
3,70
4,35
0,09
150
max.
1,95
V
V
V
A
A
A
µC
µC
µC
mJ
mJ
mJ
V
A
A
A²s
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
F
= 200 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 200 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 200 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 200 A, - di
F
/dt = 4200 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 300 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
T
vj
= 150°C
I
F
= 200 A, - di
F
/dt = 4200 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 300 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
T
vj
= 150°C
I
F
= 200 A, - di
F
/dt = 4200 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 300 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
T
vj
= 150°C
proDiode/perdiode
I
RM
Q
r
E
rec
R
thJC
R
thCH
T
vj op
-40
0,31 K/W
K/W
°C
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Nennwiderstand
Ratedresistance
AbweichungvonR100
DeviationofR100
Verlustleistung
Powerdissipation
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C, R
100
= 493
Ω
T
C
= 25°C
R
2
= R
25
exp [B
25/50
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/80
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/100
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
25
∆R/R
P
25
B
25/50
B
25/80
B
25/100
min.
-5
typ.
5,00
3375
3411
3433
max.
5
20,0
kΩ
%
mW
K
K
K
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
preparedby:JZ
approvedby:LB
dateofpublication:2013-11-05
revision:3.1
3
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FS200R07A1E3
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation
Internalisolation
Kriechstrecke
Creepagedistance
Luftstrecke
Clearance
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
Chip
Moduleleadresistance,terminals-chip
Lagertemperatur
Storagetemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse
Terminalconnectiontorque
Gewicht
Weight
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
V
ISOL
CTI
min.
T
C
=25°C,proSchalter/perswitch
SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
L
sCE
R
CC'+EE'
T
stg
M
M
G
-40
3,00
3,0
2,5
Cu
Al
2
O
3
12,0
6,1
12,0
6,1
> 200
typ.
30
1,00
-
-
485
max.
125
6,00
6,0
nH
mΩ
°C
Nm
Nm
g
kV
mm
mm
preparedby:JZ
approvedby:LB
dateofpublication:2013-11-05
revision:3.1
4
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FS200R07A1E3
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
T
vj
=150°C
400
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=15V
400
350
300
250
I
C
[A]
200
150
100
50
0
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
350
300
250
I
C
[A]
200
150
100
50
0
V
GE
= 19V
V
GE
= 17V
V
GE
= 15V
V
GE
= 13V
V
GE
= 11V
V
GE
= 9V
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6
V
CE
[V]
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
V
CE
[V]
3,5
4,0
4,5
5,0
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
GE
)
V
CE
=20V
400
350
300
250
200
150
100
50
0
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E
on
=f(I
C
),E
off
=f(I
C
)
V
GE
=±15V,R
Gon
=3.6Ω,R
Goff
=3.6Ω,V
CE
=300V
16
14
12
10
E [mJ]
8
6
4
2
0
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 150°C
I
C
[A]
5
6
7
8
9
V
GE
[V]
10
11
12
0
50
100
150
200
I
C
[A]
250
300
350
400
preparedby:JZ
approvedby:LB
dateofpublication:2013-11-05
revision:3.1
5
微控制器 MCU
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