Datenblatt / Data sheet
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD261N
Key Parameters
V
DRM
/ V
RRM
I
TAVM
I
TSM
V
T0
r
T
R
thJC
Base plate
2200 V
260 A (T
C
=100 °C)
9500 A
0,70 V
0,68 mΩ
0,164 K/W
50 mm
For type designation please refer to actual
short form catalog
http://www.ifbip.com/catalog
Merkmale
Druckkontakt-Technologie für hohe
Zuverlässigkeit
Advanced Medium Power Technology (AMPT)
Industrie-Standard-Gehäuse
Elektrisch isolierte Bodenplatte
Features
Pressure contact technology for high reliability
Advanced Medium Power Technology (AMPT)
Industrial standard package
Electrically insulated base plate
Typische Anwendungen
Gleichrichter für Antriebsapplikationen
Kurzschließer-Applikationen
Gleichrichter für UPS
Batterieladegleichrichter
Typical Applications
Rectifier for drives applications
Crowbar applications
Rectifiers for UBS
Battery chargers
1
content of customer DMX code
serial number
SAP material number
Internal production order number
datecode (production year)
datecode (production week)
DMX code
digit
1..5
6..12
13..20
21..22
23..24
DMX code
digit quantity
5
7
8
2
2
2
3
www.ifbip.com
support@infineon-bip.com
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Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD261N
DD261N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltages
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
T
vj
= -40°C... T
vj max
T
vj
= +25°C... T
vj max
V
RRM
V
RSM
I
FRMSM
2000 V
2200 V
2100 V
2300 V
410 A
260 A
9500 A
8300 A
451000 A²s
344000 A²s
T
C
= 100°C
T
vj
= 25°C, t
P
= 10ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10ms
T
vj
= 25°C, t
P
= 10ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10ms
I
FAVM
I
FSM
I²t
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Sperrstrom
reverse current
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 800A
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
, v
R
= V
RRM
RMS, f = 50Hz, t = 1 sec
RMS, f = 50Hz, t = 1 min
v
F
V
(TO)
r
T
i
R
V
ISOL
max.
max.
max.
max.
1,42 V
0,70 V
0,68 mΩ
40 mA
3,6 kV
3,0 kV
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin
pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin
pro Modul / per Module, DC
pro Zweig / per arm, DC
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
R
thJC
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,085
0,170
0,082
0,164
K/W
K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
R
thCH
T
vj max
T
c op
T
stg
K/W
K/W
0,02 K/W
0,04 K/W
150 °C
- 40...+150 °C
- 40...+150 °C
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Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50Hz
file-No.
Basisisolierung (Schutzklasse 1, EN 61140)
Basic insulation (class 1, IEC 61140)
Toleranz ±15%
Toleranz ±10%
M1
M2
G
typ.
AlN
6
12
Nm
Nm
800 g
17 mm
50 m/s²
E 83335
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DD
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Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
R
thn
[K/W]
0,0661
0,0552
0,0291
0,0097
0,0039
τ
n
[s]
2,85
0,54
0,085
0,008
0,0008
Analytische Funktion / Analytical function:
Z
thJC
½
n
max
n=1
R
–t
thn
1 -e
n
0,18
0,16
0,14
Z
thJC
[°K/W]
0,12
0,10
0,08
0,06
0,04
0,02
0,00
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
100
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z
thJC
= f(t)
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
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