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TK25N60X5S1F: 产品类别半导体分立半导体; 文件大小376KB，共11页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

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TK25N60X5S1F在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
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参数名称	属性值
产品种类 Product Category	MOSFET
制造商 Manufacturer	Toshiba(东芝)
RoHS	Details
技术 Technology	Si
安装风格 Mounting Style	Through Hole
封装 / 箱体 Package / Case	TO-247-3
Number of Channels	1 Channel
Transistor Polarity	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	600 V
Id - Continuous Drain Current	25 A
Rds On - Drain-Source Resistance	120 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V
Qg - Gate Charge	60 nC
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 55 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 150 C
系列 Packaging	Tube
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Fall Time	4 ns
高度 Height	20.95 mm
长度 Length	15.94 mm
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	180 W
Rise Time	40 ns
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	30
Typical Turn-Off Delay Time	100 ns
Typical Turn-On Delay Time	80 ns
宽度 Width	5.02 mm
单位重量 Unit Weight	1.340411 oz

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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