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RN1905LF

产品类别半导体    分立半导体   
文件大小148KB,共9页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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RN1905LF规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
Bipolar Transistors - Pre-Biased
制造商
Manufacturer
Toshiba(东芝)
RoHSDetails
Transistor PolarityNPN
Typical Input Resistor2.2 kOhms
Typical Resistor Ratio0.0468
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
US-6
DC Collector/Base Gain hfe Min80
Collector- Emitter Voltage VCEO Max50 V
Continuous Collector Current100 mA
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
200 mW
系列
Packaging
Reel
Collector- Base Voltage VCBO50 V
Emitter- Base Voltage VEBO5 V
高度
Height
0.9 mm
长度
Length
2 mm
Maximum DC Collector Current100 mA
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
3000
类型
Type
NPN Epitaxial Silicon Transistor
宽度
Width
1.25 mm
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注:本文介绍的助听器电路简单、材料容易获取,适合初学者学习制作时参考,同时也可用于轻度耳聋者临时配戴,建议耳聋患者到专门机构配备适合自己的助听器,以免因小失大![b]一、工作原理  [/b]耳聋助听器的电路如图1所示,它实质上是一个由晶体三极管VT1~VT3构成的多级音频放大器。VT1与外围阻容元件组成了典型的阻容耦合放大电路,担任前置音频电压放大;VT2、VT3组成了两级直接耦合式功率放大电路,...
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