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BC857AE6327HTSA1

产品描述Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小857KB,共11页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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BC857AE6327HTSA1概述

Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS

BC857AE6327HTSA1规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time4 weeks
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压45 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)125
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz

BC857AE6327HTSA1相似产品对比

BC857AE6327HTSA1 BC858CE6327HTSA1 BC858BWH6327XTSA1 BC860CWH6327XTSA1
描述 Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS
是否Rohs认证 符合 符合 - 符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) - Infineon(英飞凌)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 - SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code compliant compliant - compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A - 0.1 A
集电极-发射极最大电压 45 V 30 V - 45 V
配置 SINGLE SINGLE - SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 125 420 - 420
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 - R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3 e3 - e3
湿度敏感等级 1 1 - 1
元件数量 1 1 - 1
端子数量 3 3 - 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP PNP - PNP
表面贴装 YES YES - YES
端子面层 Tin (Sn) Tin (Sn) - Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING - GULL WING
端子位置 DUAL DUAL - DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING - AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON - SILICON
标称过渡频率 (fT) 250 MHz 250 MHz - 250 MHz

 
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