Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 4 weeks |
最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
集电极-发射极最大电压 | 45 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 125 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | PNP |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 250 MHz |
BC857AE6327HTSA1 | BC858CE6327HTSA1 | BC858BWH6327XTSA1 | BC860CWH6327XTSA1 | |
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描述 | Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR | Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR | Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | - | 符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) | - | Infineon(英飞凌) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | - | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | - | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 0.1 A | 0.1 A | - | 0.1 A |
集电极-发射极最大电压 | 45 V | 30 V | - | 45 V |
配置 | SINGLE | SINGLE | - | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 125 | 420 | - | 420 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 | - | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码 | e3 | e3 | - | e3 |
湿度敏感等级 | 1 | 1 | - | 1 |
元件数量 | 1 | 1 | - | 1 |
端子数量 | 3 | 3 | - | 3 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | - | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | PNP | PNP | - | PNP |
表面贴装 | YES | YES | - | YES |
端子面层 | Tin (Sn) | Tin (Sn) | - | Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING | GULL WING | - | GULL WING |
端子位置 | DUAL | DUAL | - | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | - | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | - | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 250 MHz | 250 MHz | - | 250 MHz |
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