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SPB30N03

产品描述SIPMOS Power Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小564KB,共14页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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SPB30N03概述

SIPMOS Power Transistor

SPB30N03规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码TO-263
包装说明PLASTIC, TO-263, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)145 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)30 A
最大漏极电流 (ID)30 A
最大漏源导通电阻0.023 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)120 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON

SPB30N03相似产品对比

SPB30N03 SPP30N03
描述 SIPMOS Power Transistor SIPMOS Power Transistor
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
零件包装代码 TO-263 SFM
包装说明 PLASTIC, TO-263, 3 PIN PLASTIC, TO-220, 3 PIN
针数 3 3
Reach Compliance Code _compli unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas) 145 mJ 145 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V 30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 30 A 30 A
最大漏极电流 (ID) 30 A 30 A
最大漏源导通电阻 0.023 Ω 0.023 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 2 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 75 W 75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 120 A 120 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON

 
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