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SI2312DS-T1

产品描述MOSFET 20V 3.77A
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小86KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI2312DS-T1概述

MOSFET 20V 3.77A

SI2312DS-T1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)3.77 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1.25 W
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches1

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Si2312DS
Vishay Siliconix
N-Channel 20 -V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
20
FEATURES
I
D
(A)
4.9
4.4
3.9
11.2
r
DS(on)
(W)
0.033 @ V
GS
= 4.5 V
0.040 @ V
GS
= 2.5 V
0.051 @ V
GS
= 1.8 V
Q
g
(Typ)
D
1.8-V Rated
D
RoHS Compliant
Pb-free
Available
TO-236
(SOT-23)
G
1
3
D
S
2
Top View
Si2312DS (C2)*
*Marking Code
Ordering Information: Si2312DS-T1
Si2312DS-T1—E3 (Lead (Pb)-Free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150_C)
a
Pulsed Drain Current
b
Avalanche Current
b
Single Avalanche Energy
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
L = 0 1 mH
0.1
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AS
E
AS
I
S
P
D
T
J
, T
stg
5 sec
20
"8
4.9
3.9
15
15
Steady State
Unit
V
3.77
3.0
A
11.25
1.0
1.25
0.80
−55
to 150
0.75
0.48
mJ
A
W
_C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum
M i
J
Junction-to-Ambient
a
ti t A bi t
t
v
5 sec
Steady State
Steady State
Symbol
R
thJA
R
thJF
Typical
75
120
40
Maximum
100
166
50
Unit
_C/W
C/W
Maximum Junction-to-Foot
Notes
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
b. Pulse width limited by maximum junction temperature
Document Number: 71338
S-50574—Rev. E, 04-Apr-05
www.vishay.com
1
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