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NTGS1135PT1G

产品描述MOSFET 8V Power Mosfet P-Channel
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小101KB,共5页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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NTGS1135PT1G概述

MOSFET 8V Power Mosfet P-Channel

NTGS1135PT1G规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码TSOP
包装说明LEAD FREE, 318G-02, TSOP-6
针数6
制造商包装代码318G-02
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性ULTRA LOW RESISTANCE
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压8 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)4.6 A
最大漏极电流 (ID)4.6 A
最大漏源导通电阻0.031 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1.6 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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NTGS1135P
Power MOSFET
Features
−8
V,
−5.8
A, Single P−Channel, TSOP−6
Ultra Low R
DS(on)
1.2 V R
DS(on)
Rating
This is a Pb−Free Device
Applications
V
(BR)DSS
http://onsemi.com
R
DS(ON)
MAX
31 mW @
−4.5
V
−8
V
38 mW @
−2.5
V
57 mW @
−1.8
V
300 mW @
−1.2
V
Value
−8.0
$6.0
−4.6
−3.3
−5.8
P
D
T
A
= 25°C
1.6
I
DM
T
J
,
T
STG
I
S
T
L
−9.2
−55
to
150
−1.0
260
A
°C
A
°C
1
TSOP−6
CASE 318G
STYLE 1
0.97
W
4
A
3
Unit
V
V
P−Channel
1 2 5 6
−4.6
A
I
D
MAX
Load Switch
Battery Management
MAXIMUM RATINGS
(T
J
= 25°C unless otherwise stated)
Parameter
Drain−to−Source Voltage
Gate−to−Source Voltage
Continuous Drain
Current (Note 1)
Steady
State
t
v
5s
Power Dissipation
(Note 1)
Steady
State
t
v
5s
Pulsed Drain Current
t
p
= 10
ms
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
Symbol
V
DSS
V
GS
I
D
Operating Junction and Storage Temperature
Source Current (Body Diode)
Lead Temperature for Soldering Purposes
(1/8” from case for 10 s)
MARKING
DIAGRAM
AA MG
G
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 in sq pad size (Cu area = 1 in sq
[2 oz] including traces)
2. Surface−mounted on FR4 board using the minimum recommended pad size.
(Cu area = 0.0751 in sq)
1
AA
= Device Code
M
= Date Code
G
= Pb−Free Package
(Note: Microdot may be in either location)
PIN ASSIGNMENT
Drain Drain Source
6 5 4
THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS
Parameter
Junction−to−Ambient – Steady State (Note 1)
Junction−to−Ambient – t = 5 s (Note 1)
Junction−to−Ambient – Steady State (Note 2)
Symbol
R
qJA
R
qJA
R
qJA
Value
128
78
188
°C/W
1
2
3
Unit
Drain Drain Gate
ORDERING INFORMATION
Device
NTGS1135PT1G
Package
Shipping
TSOP−6 3000 / Tape & Reel
(Pb−Free)
†For information on tape and reel specifications,
including part orientation and tape sizes, please
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications
Brochure, BRD8011/D.
1
Publication Order Number:
NTGS1135P/D
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2008
October, 2008
Rev. 0
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