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F4-100R12KS4

产品描述Darlington Transistors TRANSISTOR ARRAYS
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小481KB,共8页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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F4-100R12KS4概述

Darlington Transistors TRANSISTOR ARRAYS

F4-100R12KS4规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码MODULE
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X26
针数26
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)130 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-XUFM-X26
元件数量4
端子数量26
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)660 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)390 ns
标称接通时间 (ton)190 ns
VCEsat-Max3.75 V
Base Number Matches1

F4-100R12KS4相似产品对比

F4-100R12KS4 F4100R12KS4BOSA1
描述 Darlington Transistors TRANSISTOR ARRAYS IGBT MODULE VCES 1200V 100A
是否Rohs认证 符合 符合
包装说明 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X26 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X26
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 130 A 130 A
集电极-发射极最大电压 1200 V 1200 V
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
JESD-30 代码 R-XUFM-X26 R-XUFM-X26
元件数量 4 4
端子数量 26 26
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
表面贴装 NO NO
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称断开时间 (toff) 390 ns 390 ns
标称接通时间 (ton) 190 ns 190 ns
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