Darlington Transistors TRANSISTOR ARRAYS
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
零件包装代码 | MODULE |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X26 |
针数 | 26 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 130 A |
集电极-发射极最大电压 | 1200 V |
配置 | BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR |
门极-发射极最大电压 | 20 V |
JESD-30 代码 | R-XUFM-X26 |
元件数量 | 4 |
端子数量 | 26 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 660 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | UNSPECIFIED |
端子位置 | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 390 ns |
标称接通时间 (ton) | 190 ns |
VCEsat-Max | 3.75 V |
Base Number Matches | 1 |
F4-100R12KS4 | F4100R12KS4BOSA1 | |
---|---|---|
描述 | Darlington Transistors TRANSISTOR ARRAYS | IGBT MODULE VCES 1200V 100A |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X26 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X26 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 130 A | 130 A |
集电极-发射极最大电压 | 1200 V | 1200 V |
配置 | BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR | BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR |
JESD-30 代码 | R-XUFM-X26 | R-XUFM-X26 |
元件数量 | 4 | 4 |
端子数量 | 26 | 26 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
表面贴装 | NO | NO |
端子形式 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
端子位置 | UPPER | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 390 ns | 390 ns |
标称接通时间 (ton) | 190 ns | 190 ns |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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