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SI6469DQ-T1-GE3

产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小99KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SI6469DQ-T1-GE3在线购买

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SI6469DQ-T1-GE3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码TSSOP
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压8 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)6 A
最大漏极电流 (ID)6 A
最大漏源导通电阻0.028 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)30 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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Si6469DQ
Vishay Siliconix
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
R
DS(on)
(Ω)
0.028 at V
GS
= - 4.5 V
-8
0.031 at V
GS
= - 3.3 V
0.040 at V
GS
= - 2.5 V
0.065 at V
GS
= - 1.8 V
I
D
(A)
± 6.0
± 5.8
± 5.0
± 3.6
FEATURES
Halogen-free
• TrenchFET
®
Power MOSFETs: 1.8 V Rated
RoHS
COMPLIANT
S
TSSOP-8
D
S
S
G
1
2
3
4
Top View
Ordering
Information:
Si6469DQ-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
D
8
D
S
S
D
G
Si6469DQ
7
6
5
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a, b
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a, b
Maximum Power Dissipation
a, b
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
Limit
-8
±8
± 6.0
± 5.0
± 30
- 1.25
1.5
1.0
- 55 to 150
W
°C
A
Unit
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
a
Notes:
a. Surface Mounted on FR4 board.
b. t
10 s.
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm.
Document Number: 70858
S-81056-Rev. B, 12-May-08
www.vishay.com
1
t
10 s
Steady State
Symbol
R
thJA
Typical
95
Maximum
83
Unit
°C/W
关于不同状态机格式占用资源的问题
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