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APT60M80JVR

产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小70KB,共5页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
标准
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APT60M80JVR在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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APT60M80JVR规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码ISOTOP
包装说明FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
针数4
制造商包装代码ISOTOP
Reach Compliance Codecompliant
雪崩能效等级(Eas)3200 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)55 A
最大漏极电流 (ID)55 A
最大漏源导通电阻0.08 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PUFM-X4
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)568 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)220 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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