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M27C256B-12C1TR: 产品描述EPROM 256K (32KX8) 120ns; 产品类别存储存储; 文件大小155KB，共24页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/; 标准

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M27C256B-12C1TR概述

EPROM 256K (32KX8) 120ns

M27C256B-12C1TR规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	QFJ
包装说明	LEAD FREE, PLASTIC, LCC-32
针数	32
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	120 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PQCC-J32
JESD-609代码	e3
长度	13.97 mm
内存密度	262144 bit
内存集成电路类型	OTP ROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	32768 words
字数代码	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	32KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ
封装等效代码	LDCC32,.5X.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
编程电压	12.75 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.56 mm
最大待机电流	0.0001 A
最大压摆率	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	11.43 mm

M27C256B-12C1TR相似产品对比

	M27C256B-12C1TR	M27C256B-20C1	M27C256B-15F1	M27C256B-12B1
描述	EPROM 256K (32KX8) 120ns	EPROM	EPROM 256K (32KX8) 150ns	EPROM 256K (32KX8) 120ns
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合
厂商名称	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)
零件包装代码	QFJ	QFJ	DIP	DIP
包装说明	LEAD FREE, PLASTIC, LCC-32	LEAD FREE, PLASTIC, LCC-32	0.280 INCH, LEAD FREE, CERAMIC, WINDOWED, FRIT SEALED, DIP-28	DIP, DIP28,.6
针数	32	32	28	28
Reach Compliance Code	compliant	compliant	unknown	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	120 ns	150 ns	150 ns	120 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PQCC-J32	R-PQCC-J32	R-CDIP-T28	R-PDIP-T28
JESD-609代码	e3	e3	e3	e3
长度	13.97 mm	13.97 mm	36.92 mm	36.83 mm
内存密度	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit
内存集成电路类型	OTP ROM	OTP ROM	UVPROM	OTP ROM
内存宽度	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1
端子数量	32	32	28	28
字数	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words
字数代码	32000	32000	32000	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ	QCCJ	WDIP	DIP
封装等效代码	LDCC32,.5X.6	LDCC32,.5X.6	DIP28,.6	DIP28,.6
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	IN-LINE, WINDOW	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	245
电源	5 V	5 V	5 V	5 V
编程电压	12.75 V	12.75 V	12.75 V	12.75 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	3.56 mm	3.56 mm	5.72 mm	5.08 mm
最大待机电流	0.0001 A	0.0001 A	0.0001 A	0.0001 A
最大压摆率	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
端子形式	J BEND	J BEND	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	QUAD	QUAD	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	11.43 mm	11.43 mm	15.24 mm	15.24 mm

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器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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