Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> RN1106MFVTPL3

RN1106MFVTPL3: 产品描述Operational Amplifiers - Op Amps Low Pwr Programmable; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小856KB，共9页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

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RN1106MFVTPL3概述

Operational Amplifiers - Op Amps Low Pwr Programmable

RN1106MFVTPL3规格参数

参数名称	属性值
产品种类 Product Category	Bipolar Transistors - Pre-Biased
制造商 Manufacturer	Toshiba(东芝)
RoHS	No
Configuration	Single
Transistor Polarity	NPN
Typical Input Resistor	4.7 kOhms
Typical Resistor Ratio	0.1
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT
DC Collector/Base Gain hfe Min	80
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V
Continuous Collector Current	100 mA
Peak DC Collector Current	100 mA
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	150 mW
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 150 C
系列 Packaging	Reel
DC Current Gain hFE Max	80
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	8000

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RN1101MFV to RN1106MFV

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor)

RN1101MFV, RN1102MFV, RN1103MFV

RN1104MFV, RN1105MFV, RN1106MFV

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and

Driver Circuit Applications

0.22 ± 0.05

Unit: mm

1.2 ± 0.05



Ultra-small package, suited to very high density mounting



Incorporating a bias resistor into the transistor reduces the number of parts,

so enabling the manufacture of ever more compact equipment and lowering

assembly cost.

1.2 ± 0.05



A wide range of resistor values is available for use in various circuits.



Complementary to the RN2101MFV to RN2106MFV

0.8 ± 0.05

0.4

0.13 ± 0.05

Equivalent Circuit and Bias Resistor Values

Type No.

RN1101MFV

RN1102MFV

RN1103MFV

RN1104MFV

RN1105MFV

RN1106MFV

R1 (kΩ)

4.7

2.2

4.7

R2 (kΩ)

4.7

0.5 ± 0.05

0.4

VESM

JEDEC

JEITA

TOSHIBA

1. BASE

2. EMITTER

3. COLLECTOR

―

2-1L1A

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Characteristic

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

RN1101MFV to 1106MFV

RN1101MFV to 1104MFV

RN1105MFV, 1106MFV

Symbol

CBO

CEO

EBO

(Note 1)

stg

Rating

100

150

−55

to 150

Weight: 1.5 mg (typ.)

Unit

°C

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant

change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating

conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report

and estimated failure rate, etc).

Note 1: Mounted on an FR4 board

(25.4

25.4 mm

1.6 mm)

Pad Dimension（Reference）

0.5

Unit: mm

0.45

1.15

0.4

0.45

0.4

Start of commercial production

2005-02

2016-09-14

0.32 ± 0.05

0.80 ± 0.05

RN1106MFVTPL3相似产品对比

	RN1106MFVTPL3	RN1101MFV	RN1106MFV	RN1106FSTPL3	RN1101MFVTPL3	RN1102MFV
描述	Operational Amplifiers - Op Amps Low Pwr Programmable	Bipolar Transistors - Pre-Biased	Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 4.7K x 47Kohms	Bipolar Transistors - Pre-Biased 50mA 20volts 3Pin 4.7K x 47Kohms	Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms	Bipolar Transistors - Pre-Biased

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