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NE6510179A-A

产品描述RF JFET Transistors Lu0026S Band GaAs HJFET
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小250KB,共10页
制造商CEL
官网地址http://www.cel.com/
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NE6510179A-A概述

RF JFET Transistors Lu0026S Band GaAs HJFET

NE6510179A-A规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
RF JFET Transistors
制造商
Manufacturer
CEL
RoHSDetails
Transistor TypeHFET
技术
Technology
GaAs
Gain10 dB
Transistor PolarityN-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage8 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage- 4 V
Id - Continuous Drain Current2.8 A
Output Power35 dBm
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
15 W
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
79A
系列
Packaging
Bulk
Operating Frequency1.9 GHz
P1dB - Compression Point35 dBm
产品
Product
RF JFET
类型
Type
GaAs HFET

 
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