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BSZ067N06LS3GATMA1

产品描述Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小456KB,共9页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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BSZ067N06LS3GATMA1在线购买

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BSZ067N06LS3GATMA1概述

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R

BSZ067N06LS3GATMA1规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5
针数8
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time26 weeks
Samacsys DescriptionMOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas)118 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)14 A
最大漏源导通电阻0.0121 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码S-PDSO-N5
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量5
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)80 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

参考设计

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