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BYT51K-TAP

产品描述Rectifiers 1.5 Amp 800 Volt 50 Amp IFSM
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小118KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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BYT51K-TAP概述

Rectifiers 1.5 Amp 800 Volt 50 Amp IFSM

BYT51K-TAP规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
厂商名称Vishay(威世)
包装说明E-LALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JESD-30 代码E-LALF-W2
JESD-609代码e2
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料GLASS
封装形状ELLIPTICAL
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压800 V
最大反向恢复时间4 µs
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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BYT51A, BYT51B, BYT51D, BYT51G, BYT51J, BYT51K, BYT51M
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Standard Avalanche Sinterglass Diode
FEATURES
• Glass passivated junction
• Hermetically sealed package
• Low reverse current
• AEC-Q101 qualified
• Material categorization:
for definitions of compliance please see
www.vishay.com/doc?99912
949539
MECHANICAL DATA
Case:
SOD-57
Terminals:
plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,
method 2026
Polarity:
color band denotes cathode end
Mounting position:
any
Weight:
approx. 369 mg
APPLICATIONS
• Rectification diode
ORDERING INFORMATION
(Example)
DEVICE NAME
BYT51M
BYT51M
ORDERING CODE
BYT51M-TR
BYT51M-TAP
TAPED UNITS
5000 per 10" tape and reel
5000 per ammopack
MINIMUM ORDER QUANTITY
25 000
25 000
PARTS TABLE
PART
BYT51A
BYT51B
BYT51D
BYT51G
BYT51J
BYT51K
BYT51M
TYPE DIFFERENTIATION
V
R
= 50 V; I
F(AV)
= 1.5 A
V
R
= 100 V; I
F(AV)
= 1.5 A
V
R
= 200 V; I
F(AV)
= 1.5 A
V
R
= 400 V; I
F(AV)
= 1.5 A
V
R
= 600 V; I
F(AV)
= 1.5 A
V
R
= 800 V; I
F(AV)
= 1.5 A
V
R
= 1000 V; I
F(AV)
= 1.5 A
PACKAGE
SOD-57
SOD-57
SOD-57
SOD-57
SOD-57
SOD-57
SOD-57
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
TEST CONDITION
PART
BYT51A
BYT51B
Reverse voltage
= repetitive peak reverse voltage
BYT51D
See electrical characteristics
BYT51G
BYT51J
BYT51K
BYT51M
Peak forward surge current
Repetitive peak forward current
Average forward current
Junction and storage temperature range
Non repetitive reverse avalanche energy
l
(BR)R
= 1 A
l = 10 mm
On PC board
t
p
= 10 ms, half sine wave
SYMBOL
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
I
FSM
I
FRM
I
F(AV)
I
F(AV)
T
j
= T
stg
E
R
VALUE
50
100
200
400
600
800
1000
50
9
1.5
1
-55 to +175
20
UNIT
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
°C
mJ
Rev. 2.0, 04-Nov-15
Document Number: 86028
1
For technical questions within your region:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000
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