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MG06300D-BN4MM

产品描述IGBT Transistors 650V Field Stop Gen3 Trench IGBT
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小1MB,共5页
制造商Littelfuse
官网地址http://www.littelfuse.com
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MG06300D-BN4MM在线购买

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MG06300D-BN4MM概述

IGBT Transistors 650V Field Stop Gen3 Trench IGBT

MG06300D-BN4MM规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
IGBT Modules
制造商
Manufacturer
Littelfuse
RoHSDetails
产品
Product
IGBT Silicon Modules
ConfigurationDual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage1.45 V
Continuous Collector Current at 25 C400 A
Gate-Emitter Leakage Current400 nA
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
940 W
封装 / 箱体
Package / Case
Package D
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
系列
Packaging
Bulk
Maximum Gate Emitter Voltage20 V
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 40 C
安装风格
Mounting Style
Screw
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
60
单位重量
Unit Weight
10.053079 oz

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Power Module
600V 300A IGBT Module
MG06300D-BN4MM
Features
• High short circuit
capability, self limiting
short circuit current
• V
CE(sat)
with positive
temperature coefficient
• Fast switching and short
tail current
RoHS
®
• Free wheeling diodes
with fast and soft reverse
recovery
• Low switching losses
Agency Approvals
AGENCY
AGENCY FILE NUMBER
E71639
Applications
• High frequency
switching application
• Medical applications
• Motion/servo control
• UPS systems
Module Characteristics
(T
C
= 25°C, unless otherwise specified)
Symbol
T
J
max
T
J op
T
stg
V
isol
CTI
Torque
Torque
Weight
Parameters
Max. Junction Temperature
Operating Temperature
Storage Temperature
Insulation Test Voltage
Comparative Tracking Index
Module-to-Sink
Module Electrodes
Recommended (M6)
Recommended (M6)
AC, t=1min
350
3
2.5
320
5
5
N·m
N·m
g
-40
-40
3000
Test Conditions
Min
Typ
Max
175
150
125
Unit
°C
°C
°C
V
Absolute Maximum Ratings
(T
C
= 25°C, unless otherwise specified)
Symbol
IGBT
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
P
tot
Diode
V
RRM
I
F(AV)
I
FRM
I
2
t
Life Support Note:
Not Intended for Use in Life Support or Life Saving Applications
The products shown herein are not designed for use in life sustaining or life saving
applications unless otherwise expressly indicated.
MG06300D-BN4MM
164
Parameters
Collector - Emitter Voltage
Gate - Emitter Voltage
DC Collector Current
Repetitive Peak Collector Current
Power Dissipation Per IGBT
Repetitive Reverse Voltage
Average Forward Current
Repetitive Peak Forward Current
Test Conditions
T
J
=25°C
T
C
=25°C
T
C
=70°C
t
p
=1ms
Values
600
±20
400
300
600
940
Unit
V
V
A
A
A
W
V
A
A
A
A
2
s
T
J
=25°C
T
C
=25°C
T
C
=70°C
t
p
=1ms
T
J
=125°C, t=10ms, V
R
=0V
600
400
300
600
8000
1
©2016 Littelfuse, Inc
Specifications are subject to change without notice.
Revised:07/21/16
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