电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

SI7888DP-T1-GE3

产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小87KB,共6页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
下载文档 详细参数 全文预览

SI7888DP-T1-GE3在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
SI7888DP-T1-GE3 - - 点击查看 点击购买

SI7888DP-T1-GE3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码SOT
包装说明SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)20 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)9.4 A
最大漏极电流 (ID)9.4 A
最大漏源导通电阻0.012 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-XDSO-C5
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量5
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)50 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

文档预览

下载PDF文档
Si7888DP
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
30
R
DS(on)
(Ω)
0.012 at V
GS
= 10 V
0.020 at V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
15.7
12.1
FEATURES
Halogen-free available
• TrenchFET
®
Power MOSFET
• New Low Thermal Resistance PowerPAK
®
Package with Low 1.07 mm Profile
• Optimized for “High-Side” Synchronous
Operation
• 100 % R
g
Tested
RoHS
COMPLIANT
Rectifier
PowerPAK SO-8
APPLICATIONS
• DC/DC Converters
5.15 mm
6.15 mm
S
1
2
3
S
S
G
4
D
D
8
7
6
5
D
D
D
G
Bottom View
Ordering Information:
Si7888DP-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si7888DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
S
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
Avalanche Current
Single Pulse Avalanche Energy
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
Soldering Recommendations (Peak Temperature)
b, c
a
Symbol
V
DS
V
GS
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
I
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
stg
10 s
Steady State
30
± 20
Unit
V
15.7
12.5
± 50
4.1
20
20
5.0
3.2
- 55 to 150
260
9.4
7.5
A
1.5
mJ
1.8
1.1
W
°C
L = 0.1 mH
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient (MOSFET)
a
Maximum Junction-to-Case (Drain)
t
10 s
Steady State
Steady State
Symbol
R
thJA
R
thJC
Typical
21
55
2.4
Maximum
25
70
3.0
Unit
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
b. See Solder Profile (http://www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed
copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and
is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.
c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.
Document Number: 71876
S-80440-Rev. D, 03-Mar-08
www.vishay.com
1
[疑惑]交换机,路由器影响传输问题?
一直编程是用ARM机和我的电脑直接连的,后来用无线,一时没办法直接用USB无线网卡,只能把ARM机连到无线交换机,在我的电脑上用USB无线网卡再边无线交换机,发现程序走一会偶尔就顿一下,而且还 ......
lvliming 嵌入式系统
【CN0159】通用串行总线(USB)电缆隔离器电路
电路功能与优势 通用串行总线(USB)正迅速成为大部分 PC 外设的标准接口。由于它具有出色的速度、灵活性,并且支持设备热插拔,因而正在取代 RS232 和并行打印机端口。工业和医疗设备制造商也非 ......
EEWORLD社区 ADI 工业技术
c6000双重循环和多重循环的优化总结
双重循环多重循环看起来比较复杂,但实际上多重循环优化方法比较简单,就在于一个字:“拆”,一旦完成这一步之后,多重循环就成为单层循环,优化就可以按照普通的单层循环来做了。 多重循 ......
Jacktang 微控制器 MCU
无线网络取代PLC通信实际遇到的问题。
各位,我们公司以前的产品使用PLC进行通信,一个主机去搜多个终端的数据,其实就是一个星形网络用来抄表。现在想改成无线抄表的方式了,但是我发现实际运用会遇到各种问题,现将各种问题汇集如 ......
mayulin2008 无线连接
g255310位ad外部采样电压显示例程
急需一个430g2553的10位AD的例程。 需要采样电压值输出pwm波。 ...
罗密欧 微控制器 MCU
请问MSP430f169上电问题
MSP430f169在没有写入程序之前,上电后,Vcore有电平吗? ...
fish001 微控制器 MCU

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1859  946  1906  897  1021  27  49  39  41  53 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved