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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> MBRT6008
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MBRT6008

产品描述Schottky Diodes u0026 Rectifiers 80V 600A Schottky Rectifier
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小460KB，共4页
制造商GeneSiC
官网地址http://www.genesicsemi.com/
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MBRT6008在线购买

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MBRT6008概述

Schottky Diodes u0026 Rectifiers 80V 600A Schottky Rectifier

MBRT6008规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category		Schottky Diodes & Rectifiers
制造商
Manufacturer		GeneSiC
RoHSDetails
产品
Product		Schottky Diodes
安装风格
Mounting Style		SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case		Module
If - Forward Current600 A
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage80 V
Vf - Forward Voltage0.88 V
Ifsm - Forward Surge Current4000 A
技术
Technology		Si
Ir - Reverse Current1 uA
最小工作温度
Minimum Operating Temperature		- 40 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature		+ 150 C
系列
Packaging		Bulk
工作温度范围
Operating Temperature Range		- 40 C to + 150 C
工厂包装数量
Factory Pack Quantity		25

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MBRT60020 thru MBRT60040R
Silicon Power
Schottky Diode
Features
• High Surge Capability
• Types from 20 V to 40 V V
RRM
• Isolation Type Package
• Electrically Isolated Base Plate
• Not ESD Sensitive
Three Tower Package
V
RRM
= 20 V - 40 V
I
F(AV)
= 600 A
Maximum ratings, at T
j
= 25 °C, unless otherwise specified ("R" devices have leads reversed)
Parameter
Repetitive peak reverse voltage
RMS reverse voltage
DC blocking voltage
Operating temperature
Storage temperature
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
T
j
T
stg
Conditions
MBRT60020(R) MBRT60030(R) MBRT60035(R) MBRT60040(R) Unit
20
14
20
-55 to 150
-55 to 150
30
21
30
-55 to 150
-55 to 150
35
25
35
-55 to 150
-55 to 150
40
28
40
-55 to 150
-55 to 150
V
V
V
°C
°C
Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Average forward current (per
pkg)
Peak forward surge current
(per leg)
Maximum instantaneous
forward voltage (per leg)
Maximum Instantaneous
reverse current at rated DC
blocking voltage (per leg)
Symbol
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
Conditions
T
C
=125 °C
t
p
= 8.3 ms, half sine
I
FM
= 300 A, T
j
= 25 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 100 °C
T
j
= 150 °C
MBRT60020(R) MBRT60030(R) MBRT60035(R) MBRT60040(R) Unit
600
4000
0.75
1
10
50
0.28
600
4000
0.75
1
10
50
0.28
600
4000
0.75
1
10
50
0.28
600
4000
0.75
1
10
50
0.28
A
A
V
mA
Thermal characteristics
Maximum thermal resistance,
junction - case (per leg)
R
ΘJC
°C/W
www.genesicsemi.com/silicon‐products/schottky‐rectifiers/
1

MBRT6008相似产品对比

MBRT6008 MBRT60030R MBRT60020 MBRT60040
描述 Schottky Diodes u0026 Rectifiers 80V 600A Schottky Rectifier Schottky Diodes u0026 Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 600A 30P/21R Schottky Diodes u0026 Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 600A 20P/14R IGBT Modules IGBT Module 450A 650V
产品种类
Product Category		 Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Diodes & Rectifiers
制造商
Manufacturer		 GeneSiC GeneSiC GeneSiC GeneSiC
RoHS Details Details Details Details
产品
Product		 Schottky Diodes Schottky Diodes Schottky Diodes Schottky Diodes
安装风格
Mounting Style		 SMD/SMT SMD/SMT SMD/SMT SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case		 Module Module Module Module
If - Forward Current 600 A 600 A 600 A 600 A
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage 80 V 30 V 20 V 40 V
Vf - Forward Voltage 0.88 V 0.75 V 0.7 V 0.75 V
Ifsm - Forward Surge Current 4000 A 4000 A 4000 A 4000 A
技术
Technology		 Si Si Si Si
Ir - Reverse Current 1 uA 1 uA 1 uA 1 uA
最小工作温度
Minimum Operating Temperature		 - 40 C - 40 C - 40 C - 40 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature		 + 150 C + 150 C + 150 C + 150 C
系列
Packaging		 Bulk Bulk Bulk Bulk
工作温度范围
Operating Temperature Range		 - 40 C to + 150 C - 40 C to + 150 C - 40 C to + 150 C - 40 C to + 150 C
工厂包装数量
Factory Pack Quantity		 25 25 25 25

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