IS43R16160B-6TLI,IS43R16160B-6TLI pdf中文资料,IS43R16160B-6TLI引脚图,IS43R16160B-6TLI电路-Datasheet-电子工程世界

IS43R16160B-6TLI: 产品描述DRAM 256M (16Mx16) 333MHz DDR 2.5v; 产品类别存储; 文件大小832KB，共41页; 制造商ISSI(芯成半导体); 官网地址http://www.issi.com/

下载文档详细参数选型对比全文预览

IS43R16160B-6TLI在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
	IS43R16160B-6TLI	-	-	点击查看	点击购买

IS43R16160B-6TLI概述

DRAM 256M (16Mx16) 333MHz DDR 2.5v

IS43R16160B-6TLI规格参数

参数名称	属性值
产品种类 Product Category	DRAM
制造商 Manufacturer	ISSI(芯成半导体)
RoHS	Details
类型 Type	SDRAM - DDR1
Data Bus Width	16 bit
Organization	16 M x 16
封装 / 箱体 Package / Case	TSOP-66
Memory Size	256 Mbit
Maximum Clock Frequency	167 MHz
Access Time	6 ns
电源电压-最大 Supply Voltage - Max	2.7 V
电源电压-最小 Supply Voltage - Min	2.3 V
Supply Current - Max	250 mA
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 40 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 85 C
系列 Packaging	Tray
高度 Height	1.05 mm
长度 Length	22.42 mm
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT
工作电源电压 Operating Supply Voltage	2.5 V
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	108
宽度 Width	10.29 mm

IS43R16160B-6TLI相似产品对比

	IS43R16160B-6TLI	IS43R16160B-5TL	IS43R16160B-6TL	IS43R16160B-5TLI	IS43R16160B-6BLI	IS43R16160B-5BLI	IS43R16160B-5TLI-TR
描述	DRAM 256M (16Mx16) 333MHz DDR 2.5v	DRAM 256M (16Mx16) 400MHz DDR 2.5v	DRAM 256M (16Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM	DRAM 256M (16Mx16) 400MHz DDR 2.5v	DRAM 256M (16Mx16) 333MHz DDR 2.5v	DRAM 256M (16Mx16) 400MHz DDR 2.5v	DRAM 256M (16Mx16) 400MHz DDR 2.5v
产品种类 Product Category	DRAM	DRAM	DRAM	DRAM	DRAM	DRAM	DRAM
制造商 Manufacturer	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)
RoHS	Details	Details	Details	Details	Details	Details	Details
类型 Type	SDRAM - DDR1	SDRAM - DDR1	SDRAM - DDR1	SDRAM - DDR1	SDRAM - DDR1	SDRAM - DDR1	SDRAM - DDR1
Data Bus Width	16 bit	16 bit	16 bit	16 bit	16 bit	16 bit	16 bit
Organization	16 M x 16	16 M x 16	16 M x 16	16 M x 16	16 M x 16	16 M x 16	16 M x 16
封装 / 箱体 Package / Case	TSOP-66	TSOP-66	TSOP-66	TSOP-66	BGA-60	BGA-60	TSOP-66
Memory Size	256 Mbit	256 Mbit	256 Mbit	256 Mbit	256 Mbit	256 Mbit	256 Mbit
Maximum Clock Frequency	167 MHz	200 MHz	167 MHz	200 MHz	167 MHz	200 MHz	200 MHz
Access Time	6 ns	5 ns	6 ns	5 ns	6 ns	5 ns	5 ns
电源电压-最大 Supply Voltage - Max	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
电源电压-最小 Supply Voltage - Min	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V
Supply Current - Max	250 mA	290 mA	250 mA	290 mA	250 mA	290 mA	290 mA
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 40 C	0 C	0 C	- 40 C	- 40 C	- 40 C	0 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 85 C	+ 70 C	+ 70 C	+ 85 C	+ 85 C	+ 85 C	+ 70 C
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT
工作电源电压 Operating Supply Voltage	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	108	108	108	108	190	190	1500
系列 Packaging	Tray	Tray	Tray	Tray	Tray	Tray	Cut Tape
高度 Height	1.05 mm	1.05 mm	1.05 mm	1.05 mm	-	-	1.05 mm
长度 Length	22.42 mm	22.42 mm	22.42 mm	22.42 mm	-	-	22.42 mm
宽度 Width	10.29 mm	10.29 mm	10.29 mm	10.29 mm	-	-	10.29 mm
Moisture Sensitive	-	-	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes

推荐资源

基于AT89C51型单片机的智能化数控调谐文氏电桥陷波器系统设计与实现

1 引言测量非线性失真一般采用基波抑制法（单音法），可通过基波抑制网络来实现。基波抑制网络即陷波滤波器，可将基波电压分量滤除。常见的有文氏电桥组成的RC陷波电路和双T形电桥组成的陷波电路。高性能的失真度测量仪必须使用高性能的陷渡器，它应能完全滤除基波而不衰减其他谐波。新式失真度测量仪产生的基波衰减或陷波深度可达100 dB甚至更大，而对谐波只产生l dB或更小的衰减。要获得这样高的性能，...[详细]
GlobalFoundries全球首发22nm FD-SOI工艺

GlobalFoundries今天宣布推出全新的“22FDX”工艺平台，全球第一家实现22nm FD-SOI(全耗尽绝缘硅)，专为超低功耗芯片打造。FD-SOI技术仍然采用平面型晶体管，目前并不为业内看好，因为无论Intel还是三星、台积电，22n时代起就纷纷转入了立体晶体管，也就是FinFET。GlobalFoundries技术实力欠佳，自己搞不出足够好的立体晶体管技术，22nm上只...[详细]
分析师预计诺基亚年内推出低端Android手机

北京时间6月28日上午消息，美国投资银行Bernstein Research分析师皮埃尔·法拉古(Pierre Ferragu)周四发布研究报告，重申诺基亚“弱于大盘”(Underperform)的股票评级，以及1.95美元的目标股价，并认为该公司应该尽快加入Android阵营。　　法拉古认为，诺基亚应该避免错过时机，在年内加入Android阵营，而不应该继续依赖于微软的Windows ...[详细]
51单片机最小系统板制作过程

本文将介绍如何自制一个51单片机最小系统及一些附加模块。最终制成的系统将具有烧录程序，运行程序等功能。先放两张张最终成品如下（正面）（反面--锡接走线法）提醒读者，下载口的布局有点不合理，请调至第五部的测试下载模块处查看！！！！！好了，接下来正式进入制作环节：第一步：仿真在win7下采用Proteus 7 Professional绘制仿真原理图，具体绘制操作参考...[详细]
联发科晒出曦力成绩单，被百款机型采用是种什么体验

联发科技（MediaTek Inc.）今日宣布其高端智能手机芯片品牌—联发科技曦力（HelioTM）上市首年成绩卓然，共获得近100款终端机型采用，其中不乏国内外一线手机品牌。除了年初量产的曦力X10以外，首款支持Cat.6的曦力P10方案也在年底达到量产状态，明年年初将有多款采用曦力P10方案的手机陆续上市。 “曦力”是联发科技于今年年初面向高端智能手机市场推出的芯片品牌，旗下拥有顶级性能版...[详细]
如何确保蓝牙设计通过EMI一致性测试？

选择蓝牙模块：三个考虑因素在为物联网（IoT）设备或某些其他项目选择蓝牙或其他RF模块时，你可能发现市场上可行的方案比你想象得要多得多。在正常情况下，模块制造商或供应商会根据传输速率、传输距离、频段、认证、包装尺寸等对提供的数千个模块分类。全方位考虑固然很重要，但某些因素要更加关键。通过把最主要的重点放在传输速率、传输距离（或覆盖范围）和功耗上，你可以有效地缩小选择范围。对这些因素做...[详细]
关于单片机代码架构分层

最近看了一个大神吴坚鸿的文章，他的软件架构写得还是不错的，但是代码风格一般，全局变量满天飞，但开发出来的产品稳定，性能也好。不管怎么说，在企业里，老板只追求结果，不追求过程，即使代码写得再不好，能实现功能就不错了。在这里，我借鉴他的“”三区一线理论“做下分析”。 view plain copy print? #include void init(); void initial(...[详细]
降价10%抢单，三星发起晶圆代工价格战

据台媒经济日报，三星准备发起晶圆代工价格战抢单，锁定成熟制程，降价幅度高达10%。联电、世界先进也开始有条件对客户降价。随着削价抢单大战鸣枪起跑，或打破原本预期平均单价（ASP）有撑的局面。据TrendForce最新调查显示，截至去年第3季底，三星晶圆代工全球市占率为15.5%，居第二位，虽然大幅落后龙头台积电（市占率56.1%），但已直逼居第三至五名的联电、格罗方德、中芯国际这三家公司总...[详细]
环球晶43亿5000万欧元获Siltronic控股权，德国监管机关无异

台湾硅晶圆厂环球晶今天宣布，成功透过公开收购取得德国Siltronic过半股份，达到50.8%，以总价43亿5000万欧元取得控股权，组成全球第2大12吋晶圆制造商。路透社消息，德国监管机关“联邦卡特尔署”（Federal Cartel Office）今天也宣布，对这起收购案并无异议。环球晶去年11月宣布拟对Siltronic公开收购，其后二度调高收购价，由每股125欧元提高到145欧元。环球...[详细]
单片机内部复位电路图

　　单片机复位电路原理是在单片机的复位引脚RST上外接电阻和电容，实现上电复位。当复位电平持续两个机器周期以上时复位有效。复位电平的持续时间必须大于单片机的两个机器周期，具体数值可以由RC电路计算出时间常数。　　如下图所示，单片机复位电路是由按键复位和上电复位两部分组成。其中，STC89系列单片及为高电平复位，通常在复位引脚RST上连接一个电容到VCC,再连接一个电阻到GND,由此形成一个RC充...[详细]
一季度苹果预计卖出了60万台HomePod 市场份额仅6%

新浪科技讯北京时间5月18日凌晨消息，据市场研究公司Strategy Analytics估计，苹果公司在今年第一季度共计售出了60万台HomePod智能音箱。按该销量计算，HomePod的全球智能音箱的市场份额仅为6%，远低于竞争对手谷歌和亚马逊的对应产品。　　据估计，亚马逊在今年第一季度售出了400万台Echo智能音箱，市场份额为43.6%。与此同时，谷歌的Google Home智能音箱...[详细]
嵌入式DSP访问片外SDRAM的低功耗设计研究

DSP有限的片内存储器容量往往使得设计人员感到捉襟见肘，特别是在数字图像处理、语音处理等应用场合，需要有高速大容量存储空间的强力支持。因此，需要外接存储器来扩展DSP的存储空间。在基于DSP的嵌入式应用中，存储器系统逐渐成为功耗的主要来源。例如Micron公司的MT48LC2Mx32B2-5芯片，在读写时功耗最大可以到达924 mW，而大部分DSP的内核功耗远远小于这个数值。如TI的TMS320...[详细]
低电压检测IC的复位电路

低电压检测IC的复位电路 • 当内建的低电压复位电路的电压与应用规格不同时，可选用外部低电压检测IC 的复位电路。 • 可提供低电压复位功能，需配合外部简易型RC 复位电路或高抗干扰RC 复位电路来达到完整的复位功能。 • RRES、CRES、RN 和CN 的建议数值与简易型RC 复位电路及高抗干扰RC 复位电路相同。 • CRES(针对简易型RC 复位电路)和CN(针对高抗干扰RC 复...[详细]
STM32 DMA控制器结构框图概述

DMA叫做直接存储器访问，用于在外设与存储器之间与存储器之间提供高速数据传输。可以在无需任何CPU操作的情况下通过DMA快速移动数据。这样节省的CPU资源可供其他操作使用。从硬件层次上来说，DMA 控制器是独立于 Cortex-M4内核的，有点类似 GPIO、USART 外设一般，只是 DMA的功能是可以快速移动内存数据。要实现把外设数据写入内存，或把内存数据送至外设，一般由CPU控制完成...[详细]
新能源汽车热管理基础10问

一、新能源汽车热管理系统概述汽车热管理是指从系统和整车的角度出发，统筹调控整车热量与环境热量，以确保各部件工作在最佳的温度范围内。其目标是保证车辆的安全性、提高经济性、动力性和节能环保性能。传统汽车热管理主要包括以下几个方面： 1. 发动机冷却：发动机产生的热量需要通过冷却系统进行散热，以保持发动机在适宜的工作温度范围内。冷却系统通常包括水泵、散热器、冷却液和风扇等组件。 2. 变速箱冷却：...[详细]

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多