电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

SPD50N03S2L-06-G

产品类别半导体    分立半导体   
文件大小1MB,共9页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
下载文档 详细参数 全文预览

SPD50N03S2L-06-G在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
SPD50N03S2L-06-G - - 点击查看 点击购买

SPD50N03S2L-06-G规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
MOSFET
制造商
Manufacturer
Infineon(英飞凌)
RoHSDetails
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
TO-252-3
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage30 V
Id - Continuous Drain Current50 A
Rds On - Drain-Source Resistance6.4 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage20 V
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
系列
Packaging
Reel
Channel ModeEnhancement
ConfigurationSingle
Fall Time24 ns
高度
Height
2.3 mm
长度
Length
6.5 mm
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
136 W
Rise Time19 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
2500
Transistor Type1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time35 ns
Typical Turn-On Delay Time8 ns
宽度
Width
6.22 mm
单位重量
Unit Weight
0.139332 oz

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 269  989  1088  1227  1376 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved