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NSR0320XV6T5

产品描述Schottky Diodes u0026 Rectifiers 23V 200mW Single
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小29KB,共4页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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NSR0320XV6T5概述

Schottky Diodes u0026 Rectifiers 23V 200mW Single

NSR0320XV6T5规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
针数6
制造商包装代码463A-01
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
应用GENERAL PURPOSE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.5 V
JESD-30 代码R-PDSO-F6
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流7.5 A
元件数量1
相数1
端子数量6
最高工作温度125 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.2 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压23 V
最大反向电流50 µA
反向测试电压15 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Tin (Sn)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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NSR0320XV6T1
Schottky Barrier Diode
These Schottky barrier diodes are designed for high current,
handling capability, and low forward voltage performance.
Low Forward Voltage − 0.35 Volts (Typ) @ I
F
= 10 mAdc
High Current Capability
http://onsemi.com
HIGH CURRENT
SCHOTTKY BARRIER DIODE
1, 2, 5, 6
CATHODE
3, 4
ANODE
MAXIMUM RATINGS
(T
J
= 125°C unless otherwise noted)
Rating
Reverse Voltage
Forward Power Dissipation
@ T
A
= 25°C
Derate above 25°C
Forward Current (DC)
Continuous
Forward Current
t = 8.3 ms Half Sinewave;
JEDEC Method
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Symbol
V
R
P
F
200
2.0
I
F
1
I
F
7.5
A
mW
mW/°C
A
Value
23
Unit
V
6
1
SOT−563
CASE 463A
STYLE 5
MARKING
DIAGRAM
6
RD D
1
RD = Specific Device Code
D = Date Code
ORDERING INFORMATION
T
J
T
stg
125 Max
−55 to +150
°C
°C
Device
NSR0320XV6T1
Package
SOT−563
Shipping
3000/Tape & Reel
†For information on tape and reel specifications,
including part orientation and tape sizes, please
refer to our Tape and Reel Packaging Specification
Brochure, BRD8011/D.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004
March, 2004 − Rev. 3
Publication Order Number:
NSR0320XV6T1/D

 
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