Gate Drivers 1.5A Sngl 30V N-Inv
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Microchip(微芯科技) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP8,.3 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 高边驱动器 | YES |
| 接口集成电路类型 | BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 长度 | 9.78 mm |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 标称输出峰值电流 | 3 A |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 4.5/30 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大供电电压 | 30 V |
| 最小供电电压 | 4.5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 断开时间 | 0.11 µs |
| 接通时间 | 0.1 µs |
| 宽度 | 7.62 mm |
| TC4432EJA | TC4431EJA | |
|---|---|---|
| 描述 | Gate Drivers 1.5A Sngl 30V N-Inv | Gate Drivers 1.5A Sngl 30V Inv |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Microchip(微芯科技) | Microchip(微芯科技) |
| 零件包装代码 | DIP | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP8,.3 | 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-8 |
| 针数 | 8 | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 高边驱动器 | YES | YES |
| 接口集成电路类型 | BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER | BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T8 | R-GDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 |
| 长度 | 9.78 mm | 9.78 mm |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 8 | 8 |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
| 标称输出峰值电流 | 3 A | 3 A |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 4.5/30 V | 4.5/30 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 5.08 mm |
| 最大供电电压 | 30 V | 30 V |
| 最小供电电压 | 4.5 V | 4.5 V |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 断开时间 | 0.11 µs | 0.11 µs |
| 接通时间 | 0.1 µs | 0.1 µs |
| 宽度 | 7.62 mm | 7.62 mm |
| 器件名 | 厂商 | 描述 |
|---|---|---|
| TC4432CPA | Microchip(微芯科技) | |
| TC4432VPA | Microchip(微芯科技) | Gate Drivers 1.5A Sngl 30V MOSFET Drvr N-Inv |
| TC4432EPA | Microchip(微芯科技) | Gate Drivers 1.5A Sngl 30V N-Inv |
| TC4432CPA | TelCom Semiconductor, Inc. (Microchip Technology) | 3 A BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, PDIP8 |
| TC4432EPA | TelCom Semiconductor, Inc. (Microchip Technology) | 3 A BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, PDIP8 |
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