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BCR-112W-E6327: 产品描述Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小833KB，共8页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

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Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR

参数名称	属性值
产品种类 Product Category	Bipolar Transistors - Pre-Biased
制造商 Manufacturer	Infineon(英飞凌)
RoHS	Details
Configuration	Single
Transistor Polarity	NPN
Typical Input Resistor	4.7 kOhms
Typical Resistor Ratio	1
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT
封装 / 箱体 Package / Case	SOT-323-3
DC Collector/Base Gain hfe Min	20
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V
Continuous Collector Current	100 mA
Peak DC Collector Current	100 mA
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 150 C
系列 Packaging	Reel
高度 Height	0.9 mm
长度 Length	2 mm
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 65 C
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	3000
宽度 Width	1.25 mm

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