1.5 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | NTE |
包装说明 | O-PBCY-W4 |
Reach Compliance Code | unknow |
配置 | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1 V |
JESD-30 代码 | O-PBCY-W4 |
最大非重复峰值正向电流 | 50 A |
元件数量 | 4 |
相数 | 1 |
端子数量 | 4 |
最大输出电流 | 1.5 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 1000 V |
表面贴装 | NO |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
NTE5307 | NTE5304 | |
---|---|---|
描述 | 1.5 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE | 1.5 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | NTE | NTE |
包装说明 | O-PBCY-W4 | O-PBCY-W4 |
Reach Compliance Code | unknow | unknow |
配置 | BRIDGE, 4 ELEMENTS | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
二极管元件材料 | SILICON | SILICON |
二极管类型 | BRIDGE RECTIFIER DIODE | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1 V | 1 V |
JESD-30 代码 | O-PBCY-W4 | O-PBCY-W4 |
最大非重复峰值正向电流 | 50 A | 50 A |
元件数量 | 4 | 4 |
相数 | 1 | 1 |
端子数量 | 4 | 4 |
最大输出电流 | 1.5 A | 1.5 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 1000 V | 400 V |
表面贴装 | NO | NO |
端子形式 | WIRE | WIRE |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved