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NTE5332: 产品描述1 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小16KB，共2页; 制造商NTE; 官网地址http://www.nteinc.com; 标准

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NTE5332概述

1 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

NTE5332规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	NTE
包装说明	R-PDIP-T4
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.2 V
JESD-30 代码	R-PDIP-T4
最大非重复峰值正向电流	50 A
元件数量	4
相数	1
端子数量	4
最大输出电流	1 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	600 V
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

NTE5332相似产品对比

	NTE5332	NTE5334
描述	1 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	1 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
是否Rohs认证	符合	符合
厂商名称	NTE	NTE
包装说明	R-PDIP-T4	R-PDIP-T4
Reach Compliance Code	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON	SILICON
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.2 V	1.2 V
JESD-30 代码	R-PDIP-T4	R-PDIP-T4
最大非重复峰值正向电流	50 A	50 A
元件数量	4	4
相数	1	1
端子数量	4	4
最大输出电流	1 A	1 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	600 V	1000 V
表面贴装	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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