datasheet
电子工程世界电子工程世界电子工程世界
Datasheet
型号

关键词

搜索
关键词

型号

搜索
Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> FR12BR05
PDF数据手册
文档预览

FR12BR05

产品描述Rectifiers 100V 12A REV Leads Fast Recovery
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小741KB，共4页
制造商GeneSiC
官网地址http://www.genesicsemi.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

FR12BR05在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
FR12BR05 - - 点击查看 点击购买

FR12BR05概述

Rectifiers 100V 12A REV Leads Fast Recovery

FR12BR05规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
厂商名称GeneSiC
包装说明O-MUPM-D1
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
应用FAST RECOVERY
外壳连接ANODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.8 V
JEDEC-95代码DO-203AA
JESD-30 代码O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流180 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流12 A
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向电流25 µA
最大反向恢复时间0.5 µs
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER

文档预览

下载PDF文档
FR12B05 thru FR12JR05
Silicon Fast
Recovery Diode
Features
• High Surge Capability
• Types from 100 V to 600 V V
RRM
• Not ESD Sensitive
Note:
1. Standard polarity: Stud is cathode.
2. Reverse polarity (R): Stud is anode.
3. Stud is base.
DO-4 Package
V
RRM
= 100 V - 600 V
I
F
= 12 A
Maximum ratings, at T
j
= 25 °C, unless otherwise specified ("R" devices have leads reversed)
Parameter
Repetitive p
p
peak reverse
voltage
RMS reverse voltage
DC blocking voltage
Continuous forward current
Surge non-repetitive forward
current, Half Sine Wave
Operating temperature
Storage temperature
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F
I
F,SM
T
j
T
stg
T
C
≤ 100 °C
T
C
= 25 °C, t
p
= 8.3 ms
Conditions
FR12B(R)05
100
70
100
12
180
-55 to 150
-55 to 150
FR12D(R)05
200
140
200
12
180
-55 to 150
-55 to 150
FR12G(R)05
400
280
400
12
180
-55 to 150
-55 to 150
FR12J(R)05
600
420
600
12
180
-55 to 150
-55 to 150
Unit
V
V
V
A
A
°C
°C
Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Diode forward voltage
Reverse current
Symbol
V
F
I
R
Conditions
I
F
= 12 A, T
j
= 25 °C
V
R
= 100 V, T
j
= 25 °C
V
R
= 100 V, T
j
= 150 °C
I
F
=0.5 A, I
R
=1.0 A,
I
RR
= 0.25 A
FR12B(R)05
0.8
25
6
FR12D(R)05
0.8
25
6
FR12G(R)05
0.8
25
6
FR12J(R)05
0.8
25
6
Unit
V
μA
mA
Recovery Time
Maximum reverse recovery
time
T
RR
500
500
500
500
nS
Thermal characteristics
Thermal resistance, junction
- case
R
thJC
2.0
2.0
2.0
2.0
°C/W
Feb 2016
Latest version of this datasheet at: www.genesicsemi.com/silicon-products/fast-recovery-rectifiers/
1

FR12BR05相似产品对比

FR12BR05 FR12G05 FR12J05 FR12DR05
描述 Rectifiers 100V 12A REV Leads Fast Recovery Rectifiers 400V 12A Fast Recovery Rectifiers 600V 12A Fast Recovery Rectifiers 200V 12A REV Leads Fast Recovery
是否无铅 不含铅 - 不含铅 不含铅
包装说明 O-MUPM-D1 - O-MUPM-D1 O-MUPM-D1
Reach Compliance Code compliant - compliant compliant
应用 FAST RECOVERY - FAST RECOVERY FAST RECOVERY
外壳连接 ANODE - CATHODE ANODE
配置 SINGLE - SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON - SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.8 V - 0.8 V 0.8 V
JEDEC-95代码 DO-203AA - DO-203AA DO-203AA
JESD-30 代码 O-MUPM-D1 - O-MUPM-D1 O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流 180 A - 180 A 180 A
元件数量 1 - 1 1
相数 1 - 1 1
端子数量 1 - 1 1
最高工作温度 150 °C - 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C - -55 °C -55 °C
最大输出电流 12 A - 12 A 12 A
封装主体材料 METAL - METAL METAL
封装形状 ROUND - ROUND ROUND
封装形式 POST/STUD MOUNT - POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT
最大重复峰值反向电压 100 V - 600 V 200 V
最大反向电流 25 µA - 25 µA 25 µA
最大反向恢复时间 0.5 µs - 0.5 µs 0.5 µs
表面贴装 NO - NO NO
端子形式 SOLDER LUG - SOLDER LUG SOLDER LUG
端子位置 UPPER - UPPER UPPER

推荐资源

运算放大器钳位电路

液体液面和温度监控电路图

线路限流电路图

采用μA741构成的恒流源电路图

亚声频单音信号发生器

555间歇式臭氧发生器电路

器件捷径:   A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

热门器件

  1. 2S1-MSP4-T2-B8-M7GE
  2. BACC63CT23D53PN
  3. GUS-SS8ALF-03-64R9-JD
  4. 10017802-01230LF
  5. 4779723124474
  6. 2666-15-50-30
  7. 302074-492K000AB
  8. RA16322.61K-B-VC-T1
  9. PJSD05LCTS
  10. BAV70-AU_S1_00001
  11. C3030HF-2x7P-GWT
  12. SMF18CA

开源项目推荐更多

  1. MPOS-STD2：交钥匙PCI-PTS移动POS（MPOS）终端
  2. S12VR 车窗升降器 StarterTRAK 参考设计
  3. MDK-ST10，基于 ST10F276 闪存微控制器的运动开发套件
  4. ADA4000-1ARZ运算放大器建立时间电路的典型应用电路
  5. 使用 Analog Devices 的 LT1086CT-2.85 的参考设计
  6. 适用于STM32G070RB MCU的STM32 Nucleo-64开发板，支持Arduino和ST morpho连接
  7. ALPHANUMCLICK，基于 TLC5926 LED 驱动器的评估套件
  8. DragonBoard 410c，基于高通骁龙 410E 处理器的开发板，具有高级处理能力、Wi-Fi、蓝牙连接和 GPS
  9. SC1476 便携式 IMVP-IV 双相电源控制器的典型应用
  10. A000043，Arduino GSM Shield（集成天线）允许 Arduino 板连接到互联网，拨打/接听语音电话和发送/接收短信

热门活动更多

  1. 【有奖直播】TI 工业自动化与机器人功能安全解决方案线上研讨会
  2. 是德科技重磅新品发布会｜新一代无线测试利器VXT：开启 RF 与模拟 IQ 全链路测试
  3. 有奖直播 | 瑞萨 RA8T2 EtherCAT 双轴伺服控制方案
  4. 你晒单我买单2026第1期报名中，DigiKey得捷带您畅享好物！
  5. 免费申请《一本书讲透汽车功能安全：标准详解与应用实践》，挑战《ISO26262标准》共读，赢好礼
  6. 装备焕新月：e络盟Multicomp Pro系列产品，小投入，大升级 ―― 装备焕新惊喜体验
  7. MPS 机器人模块设计大赛报名重磅开启，锻造硬实力，让想法照进现实！
  8. 有奖直播：ADI BMS 硬件和软件设计指南
  10. 免费申请：红外定位摄像头SEN0158

热门文章更多

  1. 科索基于STMGF平台打造了一款功率为80W的DC/DC工业应用电源
  2. 东芝推出无需电流感应电阻的40V／2.0A步进电机驱动IC
  3. 晶圆代工Q4被砍单？为何产业界看法与大摩不一致
  4. 荣耀50/Pro全新配色“荣耀密码”官宣，将在周一亮相
  5. 李在镕：三星一直在准备开发6G通信技术
  6. 宁德时代换电“野心”
  7. 基于LPC2378的IAP功能实现配变监测终端程序远程更新
  8. 解读特斯拉FSD的算法和模型进展

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关： 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 603  500  2634  1831  2542  13  11  54  37  52 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编：100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved