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MUR210G

产品描述Discrete Semiconductor Modules -170.0 Amps -100V 0.012 Rds
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小52KB,共5页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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MUR210G概述

Discrete Semiconductor Modules -170.0 Amps -100V 0.012 Rds

MUR210G规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
包装说明LEAD FREE, PLASTIC, CASE 59-10, 2 PIN
针数2
制造商包装代码59-10
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT
应用ULTRA FAST RECOVERY POWER
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.74 V
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流35 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间0.03 µs
表面贴装NO
端子面层Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
Base Number Matches1

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MUR210
Preferred Device
SWITCHMODEt
Power Rectifier
SWITCHMODE power rectifiers are state−of−the−art devices that
are designed for use in switching power supplies, inverters and as free
wheeling diodes.
http://onsemi.com
Features
Ultrafast 20 Nanosecond Recovery Times
175°C Operating Junction Temperature
Low Forward Voltage
Low Leakage Current
High Temperature Glass Passivated Junction
These are Pb−Free Devices*
ULTRAFAST RECTIFIERS
2 AMPERES, 100 VOLTS
Mechanical Characteristics
Case: Epoxy, Molded
Weight: 0.4 Gram (Approximately)
Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant and Terminal
Leads are Readily Solderable
Lead and Mounting Surface Temperature for Soldering Purposes:
220°C Max for 10 Seconds, 1/16″ from Case
Polarity: Cathode Indicated by Polarity Band
MAXIMUM RATINGS
Rating
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
Average Rectified Forward Current
(Square Wave Mounting Method #3)
(Note 1)
Non-Repetitive Peak Surge Current
(Surge applied at rated load conditions
halfwave, single phase, 60 Hz)
Operating Junction Temperature and
Storage Temperature Range
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F(AV)
Value
100
2.0 @
T
A
= 100°C
35
Unit
V
A
MUR210
YYWW
G
G
A
= Assembly Location
Y
= Year
WW = Work Week
G
= Pb−Free Package
(Note: Microdot may be in either location)
DO−41
PLASTIC
AXIAL LEAD
CASE 59
MARKING DIAGRAM
A
I
FSM
A
T
J
, T
stg
−65 to +175
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Maximum Thermal Resistance,
Junction−to−Ambient
Symbol
R
qJA
Value
See Note 3
Unit
°C/W
MUR210
ORDERING INFORMATION
Device
Package
Axial Lead*
Axial Lead*
Axial Lead*
Axial Lead*
Shipping
1000 Units/Bag
1000 Units/Bag
5000/Tape & Reel
5000/Tape & Reel
MUR210G
MUR210RL
MUR210RLG
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and
reliability may be affected.
1. Pulse Test: Pulse Width = 300
ms,
Duty Cycle
2.0%.
†For information on tape and reel specifications,
including part orientation and tape sizes, please
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications
Brochure, BRD8011/D.
*This package is inherently Pb−Free.
Preferred
devices are recommended choices for future use
and best overall value.
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006
1
February, 2006 − Rev. 1
Publication Order Number:
MUR210/D

MUR210G相似产品对比

MUR210G MUR210RLG
描述 Discrete Semiconductor Modules -170.0 Amps -100V 0.012 Rds RF Detector 1MHz TO 8GHz 70dB
Brand Name ON Semiconductor ON Semiconductor
是否无铅 不含铅 不含铅
包装说明 LEAD FREE, PLASTIC, CASE 59-10, 2 PIN LEAD FREE, PLASTIC, CASE 59-10, 2 PIN
针数 2 2
制造商包装代码 59-10 59-10
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT
应用 ULTRA FAST RECOVERY POWER ULTRA FAST RECOVERY POWER
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.74 V 0.74 V
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2
JESD-609代码 e3 e3
最大非重复峰值正向电流 35 A 35 A
元件数量 1 1
相数 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C
最大输出电流 2 A 2 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 100 V 100 V
最大反向恢复时间 0.03 µs 0.03 µs
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin (Sn) Tin (Sn)
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40
Base Number Matches 1 1
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