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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> JANTXV2N5681
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JANTXV2N5681

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD, TO-39, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小54KB，共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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JANTXV2N5681概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD, TO-39, 3 PIN

JANTXV2N5681规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Objectid1960925271
包装说明TO-39, 3 PIN
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压100 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)5
JEDEC-95代码TO-205AD
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)1 W
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/583
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)30 MHz

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TECHNICAL DATA
NPN POWER TRANSISTOR SILICON AMPLIFIER
Qualified per MIL-PRF-19500/583
Devices
2N5681
2N5682
Qualified Level
JAN
JANTX
JANTXV
MAXIMUM RATINGS (T
A =
25
°
C unless otherwise noted)
2N5681
Ratings
Symbol
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Base Current
Total Power Dissipation @ T
A
= +25
0
C
(1)
@ T
C
= +25
0
C
(2)
Operating & Storage Temperature Range
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
T
T
op
,
T
stg
Symbol
0
2N5682
120
120
4.0
1.0
0.5
1.0
10
-65 to +200
Units
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
W
W
°C
Unit
0
C
100
100
4.0
1.0
0.5
1.0
10
-65 to +200
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristics
Thermal Resistance, Junction-to-Case
1) Derate linearly 5.7 mW/ C for T
A
> +25 C
2) Derate linearly 57 mW/
0
C for T
C
> +25
0
C
0
R
θ
JC
Max.
17.5
TO-39*
(TO-205AD)
*See appendix A for
package outline
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
0
C unless otherwise noted)
Characteristics
Symbol
Min.
100
120
1.0
10
Max.
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
C
= 10 mAdc
2N5681
2N5682
Emitter-Base Cutoff Current
V
EB
= 4.0 Vdc
Collector-Emitter Cutoff Current
V
CE
= 70 Vdc
2N5681
V
CE
= 80 Vdc
2N5682
Collector-Emitter Cutoff Current
V
BE
= 1.5 Vdc
V
CE
= 100 Vdc
2N5681
V
CE
= 120 Vdc
2N5682
Collector-Baser Cutoff Current
V
CE
= 100 Vdc
2N5681
V
CE
= 120 Vdc
2N5682
V(
BR
)
CEO
Vdc
µAdc
µAdc
I
EBO
I
CEO
I
CEX
100
nAdc
I
CBO
100
nAdc
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803
120101
Page 1 of 2

JANTXV2N5681相似产品对比

JANTXV2N5681 Jantx2N5681 2N5681 JANTX2n5682 2N5682 JAN2N5681
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD, TO-39, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD, TO-39, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD, TO-39, 3 PIN
Objectid 1960925271 1136304182 1410172227 1960925268 1689289390 1960925263
Reach Compliance Code unknown unknown compliant unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A 2 A 1 A 1 A 1 A
集电极-发射极最大电压 100 V 100 V 100 V 120 V 120 V 100 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 5 5 40 5 5 5
JEDEC-95代码 TO-205AD TO-205AD TO-5 TO-205AD TO-5 TO-205AD
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN
认证状态 Qualified Not Qualified Not Qualified Qualified Not Qualified Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
是否无铅 含铅 含铅 - 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 - - 不符合 不符合 不符合
包装说明 TO-39, 3 PIN CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 TO-39, 3 PIN - TO-39, 3 PIN
JESD-609代码 e0 e0 - e0 e0 e0
最高工作温度 200 °C - 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C
最大功率耗散 (Abs) 1 W - 1 W 1 W 10 W 1 W
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD - TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER - AMPLIFIER SWITCHING AMPLIFIER
标称过渡频率 (fT) 30 MHz - 80 MHz 30 MHz 30 MHz 30 MHz

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