Silicon Controlled Rectifier (SCR) 125 Amp
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | NTE |
| 包装说明 | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-X2 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 外壳连接 | ANODE |
| 配置 | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流 | 125 mA |
| 最大直流栅极触发电压 | 3 V |
| JEDEC-95代码 | TO-83 |
| JESD-30 代码 | O-MUPM-X2 |
| 通态非重复峰值电流 | 1600 A |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最大通态电流 | 125000 A |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流 | 125 A |
| 断态重复峰值电压 | 200 V |
| 重复峰值反向电压 | 200 V |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | UNSPECIFIED |
| 端子位置 | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 触发设备类型 | SCR |
| NTE5575 | NTE5579 | NTE5577 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Silicon Controlled Rectifier (SCR) 125 Amp | Silicon Controlled Rectifier (SCR) 125 Amp | Silicon Controlled Rectifier (SCR) 125 Amp |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | NTE | NTE | NTE |
| 包装说明 | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-X2 | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-X2 | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-X2 |
| Reach Compliance Code | unknow | unknow | unknow |
| 外壳连接 | ANODE | ANODE | ANODE |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流 | 125 mA | 125 mA | 125 mA |
| 最大直流栅极触发电压 | 3 V | 3 V | 3 V |
| JEDEC-95代码 | TO-83 | TO-83 | TO-83 |
| JESD-30 代码 | O-MUPM-X2 | O-MUPM-X2 | O-MUPM-X2 |
| 通态非重复峰值电流 | 1600 A | 1600 A | 1600 A |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 2 | 2 |
| 最大通态电流 | 125000 A | 125000 A | 125000 A |
| 封装主体材料 | METAL | METAL | METAL |
| 封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | POST/STUD MOUNT | POST/STUD MOUNT | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流 | 125 A | 125 A | 125 A |
| 断态重复峰值电压 | 200 V | 1200 V | 600 V |
| 重复峰值反向电压 | 200 V | 1200 V | 600 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO |
| 端子形式 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 端子位置 | UPPER | UPPER | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 触发设备类型 | SCR | SCR | SCR |
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