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Jantxv2N5004

产品描述Bipolar Transistors - BJT Power BJT
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小43KB,共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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Jantxv2N5004概述

Bipolar Transistors - BJT Power BJT

Jantxv2N5004规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TO-59
包装说明POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)5 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JEDEC-95代码TO-59
JESD-30 代码O-MUPM-D3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/534C
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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TECHNICAL DATA SHEET
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803
Website: http: //www.microsemi.com
NPN POWER SILICON TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/534
DEVICES
LEVELS
2N5002
2N5004
JAN
JANTX
JANTXV
JANS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
C
= +25°C unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation
@ T
A
= +25°C
(1)
@ T
C
= +25°C
(2)
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
I
C (3)
P
T
T
J
, T
stg
R
θJC
R
θJA
Value
80
100
5.5
5.0
10
2.0
58
-65 to +200
3.0
88
Unit
V
V
V
A
W
°C
°C/W
°C/W
Operating & Storage Junction Temperature Range
Thermal Resistance, Junction-to Case
Thermal Resistance, Junction-to Ambient
Note:
1) Derate linearly 11.4 mW/°C for T
A
> +25°C
2) Derate linearly 331 mW/°C for T
C
> +25°C
3) This value applies for P
W
8.3 ms, duty cycle
1%
TO-59
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= +25°C, unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
C
= 100mAdc
Collector-Emitter Cutoff Current
V
CE
= 40Vdc, I
B
= 0
Collector-Emitter Cutoff Current
V
CE
= 60Vdc, V
BE
= 0Vdc
V
CE
= 100Vdc, V
BE
= 0Vdc
Emitter-Base Cutoff Current
V
BE
= 4.0Vdc, I
C
= 0
V
BE
= 5.5Vdc, I
C
= 0
V
(BR)CEO
I
CEO
80
50
Vdc
µAdc
Symbol
Min.
Max.
Unit
I
CES
1.0
1.0
1.0
1.0
µAdc
mAdc
mAdc
I
EBO
T4-LDS-0038 Rev. 2 (081508)
Page 1 of 2

Jantxv2N5004相似产品对比

Jantxv2N5004 2N5004 Jantx2N5004
描述 Bipolar Transistors - BJT Power BJT Bipolar Transistors - BJT Power BJT Bipolar Transistors - BJT Power BJT
是否无铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
包装说明 POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3 POST/STUD MOUNT, O-MUPM-X3 POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 5 A 5 A 5 A
集电极-发射极最大电压 80 V 80 V 80 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 40 40 40
JEDEC-95代码 TO-59 TO-59 TO-59
JESD-30 代码 O-MUPM-D3 O-MUPM-X3 O-MUPM-D3
JESD-609代码 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 200 °C 175 °C 200 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN NPN
认证状态 Qualified Not Qualified Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 SOLDER LUG UNSPECIFIED SOLDER LUG
端子位置 UPPER UPPER UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1
零件包装代码 TO-59 - TO-59
针数 3 - 3
参考标准 MIL-19500/534C - MIL-19500/534C

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