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BSB008NE2LXXUMA1: 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小1MB，共14页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/; 标准

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	BSB008NE2LXXUMA1	BSB008NE2LXXT
描述		MOSFET N-Ch 25V 180A CanPAK-2 MX OptiMOS
是否Rohs认证	符合	符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)
包装说明	CHIP CARRIER, R-MBCC-N3	CHIP CARRIER, R-MBCC-N3
Reach Compliance Code	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99
其他特性	ULTRA LOW RESISTANCE	ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）	600 mJ	600 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	25 V	25 V
最大漏极电流 (ID)	180 A	180 A
最大漏源导通电阻	0.0008 Ω	0.0008 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-MBCC-N3	R-MBCC-N3
元件数量	1	1
端子数量	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C
封装主体材料	METAL	METAL
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	89 W	89 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	400 A	400 A
表面贴装	YES	YES
端子形式	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	BOTTOM	BOTTOM
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ