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IS43LR16200C-6BL-TR

产品描述DRAM 32M (2Mx16) 166Mhz MDDR 1.8v
产品类别存储   
文件大小1MB,共42页
制造商ISSI(芯成半导体)
官网地址http://www.issi.com/
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IS43LR16200C-6BL-TR在线购买

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IS43LR16200C-6BL-TR概述

DRAM 32M (2Mx16) 166Mhz MDDR 1.8v

IS43LR16200C-6BL-TR规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
DRAM
制造商
Manufacturer
ISSI(芯成半导体)
RoHSDetails
类型
Type
SDRAM Mobile - LPDDR1
Data Bus Width16 bit
Organization2 M x 16
封装 / 箱体
Package / Case
TFBGA-60
Memory Size32 Mbit
Maximum Clock Frequency166 MHz
Access Time6 ns
电源电压-最大
Supply Voltage - Max
1.95 V
电源电压-最小
Supply Voltage - Min
1.7 V
Supply Current - Max80 mA
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
0 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 70 C
系列
Packaging
Reel
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
工作电源电压
Operating Supply Voltage
1.8 V
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
2000

IS43LR16200C-6BL-TR相似产品对比

IS43LR16200C-6BL-TR IS43LR16200C IS43LR16200C-6BLI-TR
描述 DRAM 32M (2Mx16) 166Mhz MDDR 1.8v DRAM 32M, 1.8V, MDDR, 2Mx16 DRAM 32M (2Mx16) 166Mhz MDDR 1.8v
产品种类
Product Category
DRAM DRAM DRAM
制造商
Manufacturer
ISSI(芯成半导体) ISSI(芯成半导体) ISSI(芯成半导体)
类型
Type
SDRAM Mobile - LPDDR1 SDRAM - DDR1 SDRAM Mobile - LPDDR1
Data Bus Width 16 bit 16 bit 16 bit
Organization 2 M x 16 2 M x 16 2 M x 16
封装 / 箱体
Package / Case
TFBGA-60 BGA-60 TFBGA-60
Memory Size 32 Mbit 32 Mbit 32 Mbit
电源电压-最大
Supply Voltage - Max
1.95 V 1.95 V 1.95 V
电源电压-最小
Supply Voltage - Min
1.7 V 1.7 V 1.7 V
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT SMD/SMT SMD/SMT
工作电源电压
Operating Supply Voltage
1.8 V 1.8 V 1.8 V
RoHS Details - Details
Maximum Clock Frequency 166 MHz - 166 MHz
Access Time 6 ns - 6 ns
Supply Current - Max 80 mA - 80 mA
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
0 C - - 40 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 70 C - + 85 C
系列
Packaging
Reel - Reel
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
2000 - 2000

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