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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> MBRH20030
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MBRH20030

产品描述Schottky Diodes u0026 Rectifiers SI PWR SCHOTTKY D67 20-100V 200A 30P/21R
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小482KB，共2页
制造商GeneSiC
官网地址http://www.genesicsemi.com/
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MBRH20030在线购买

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MBRH20030概述

Schottky Diodes u0026 Rectifiers SI PWR SCHOTTKY D67 20-100V 200A 30P/21R

MBRH20030规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category		Schottky Diodes & Rectifiers
制造商
Manufacturer		GeneSiC
RoHSDetails
产品
Product		Schottky Diodes
安装风格
Mounting Style		Through Hole
封装 / 箱体
Package / Case		D-67
If - Forward Current200 A
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage30 V
Vf - Forward Voltage0.75 V
Ifsm - Forward Surge Current3000 A
技术
Technology		Si
Ir - Reverse Current1 uA
最小工作温度
Minimum Operating Temperature		- 40 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature		+ 175 C
系列
Packaging		Bulk
工作温度范围
Operating Temperature Range		- 40 C to + 175 C
工厂包装数量
Factory Pack Quantity		50
单位重量
Unit Weight		1.058219 oz

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MBRH20020 thru MBRH20040R
Silicon Power
Schottky Diode
Features
• High Surge Capability
• Types up to 100 V V
RRM
D-67 Package
V
RRM
= 20 V - 100 V
I
F
= 200 A
Maximum ratings, at T
j
= 25 °C, unless otherwise specified ("R" devices have leads reversed)
Parameter
Repetitive peak reverse
voltage
RMS reverse voltage
DC blocking voltage
Continuous forward current
Surge non-repetitive forward
current, Half Sine Wave
Operating temperature
Storage temperature
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F
I
F,SM
T
j
T
stg
T
C
≤
136 °C
T
C
= 25 °C, t
p
= 8.3 ms
Conditions
MBRH20020 (R) MBRH20030 (R) MBRH20035 (R) MBRH20040 (R)
20
14
20
200
3000
-40 to 175
-40 to 175
30
21
30
200
3000
-40 to 175
-40 to 175
35
25
35
200
3000
-40 to 175
-40 to 175
40
28
40
200
3000
-40 to 175
-40 to 175
Unit
V
V
V
A
A
°C
°C
Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Diode forward voltage
Reverse current
Symbol
V
F
I
R
Conditions
I
F
= 200 A, T
j
= 25 °C
V
R
= 20 V, T
j
= 25 °C
V
R
= 20 V, T
j
= 125 °C
MBRH20020 (R) MBRH20030 (R) MBRH20035 (R) MBRH20040 (R)
0.65
5
250
0.8
0.65
5
250
0.8
0.65
5
250
0.8
0.65
5
250
0.8
Unit
V
mA
Thermal characteristics
Thermal resistance, junction
- case
R
thJC
°C/W
www.genesicsemi.com
1

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