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HMC7357LP5GE

产品类别无线/射频/通信    射频和微波   
文件大小660KB,共10页
制造商ADI(亚德诺半导体)
官网地址https://www.analog.com
标准
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HMC7357LP5GE在线购买

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HMC7357LP5GE规格参数

参数名称属性值
Brand NameAnalog Devices Inc
是否无铅含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ADI(亚德诺半导体)
包装说明LCC24,.2SQ,25
针数24
制造商包装代码CP-24-20
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Samacsys DescriptionIC MMIC AMP GAAS PHEMT 2A 24QFN
特性阻抗50 Ω
构造COMPONENT
增益29.5 dB
最大输入功率 (CW)22 dBm
JESD-609代码e3
安装特点SURFACE MOUNT
功能数量1
端子数量24
最大工作频率8500 MHz
最小工作频率5500 MHz
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装等效代码LCC24,.2SQ,25
电源8 V
射频/微波设备类型WIDE BAND MEDIUM POWER
表面贴装YES
技术GAAS
端子面层Matte Tin (Sn)
Base Number Matches1

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HMC7357LP5GE
v01.0918
GaAs pHEMT MMIC 2 WATT
POWER AMPLIFIER, 5.5 - 8.5 GHz
Typical Applications
The HMC7357LP5GE is ideal for:
Features
+35 dBm Pout @ 34% PAE
High P1dB Output Power: +34 dBm
High Output IP3: +41.5 dBm
High Gain: 29 dB
50 Ohm Matched Input/Output
Supply Voltage: Vdd = +8V @ 1200 mA
AMPLIFIERS - LINEAR & POWER - SMT
• Point-to-Point Radios
• Point-to-Multi-Point Radios
• VSAT & SATCOM
Functional Diagram
21 Vdd1
23 Vgg1
20 Vdd2
24-Lead 5x5 mm SMT Package
General Description
The HMC7357LP5GE is a three-stage GaAs pHEMT
MMIC Medium Power Amplifier that operates between
5.5 and 8.5 GHz. The amplifier provides 29 dB of gain
and +35 dBm of saturated output power at 34% PAE
from a +8V supply. With an excellent Output IP3 of
+41.5 dBm, the HMC7357LP5GE is ideal for linear
applications such as high capacity point-to-point
and point-to-multi-point radios or VSAT/SATCOM
applications demanding +35 dBm of efficient saturated
output power. The RF I/Os are internally matched
to 50 Ohms for ease of use. The HMC7357LP5GE
is packaged in a leadless 5x5 mm plastic surface
mount package and is compatible with surface mount
manufacturing techniques.
00000-000
24 N/C
22 N/C
19 N/C
18
N/C
17
N/C
16
RFOUT
15
GND
14
N/C
13
N/C
N/C
12
PACKAGE
BASE
N/C 1
GND 2
RFIN 3
N/C 4
N/C 5
N/C 6
7
Vdd4 11
8
N/C
9
1.5KΩ
1.5KΩ
Vgg2
N/C
Vdd3 10
GND
Electrical Specifications,
T
A
= +25° C
Parameter
Frequency Range
Gain
Gain Variation Over Temperature
Input Return Loss
Output Return Loss
Output Power for 1 dB Compression (P1dB)
Saturated Output Power (Psat)
Output Third Order Intercept (IP3)
[2]
Total Supply Current (Idd)
Vdd = Vdd1 = Vdd2 = Vdd3 = Vdd4 = 8V, Idd = 1200 mA
[1]
Min.
Typ.
5.5 - 7
26.5
29.5
0.0214
14
22
31.5
34.5
35
41.5
1200
31.5
28
Max.
Min.
Typ.
7 - 8.5
31
0.0234
14
15
34.5
35
41.5
1200
Max.
Units
GHz
dB
dB/ °C
dB
dB
dBm
dBm
dBm
mA
[1] Adjust Vgg between -2 to -0.4V to achieve Idd = 1200 mA typical.
[2] Measurement taken at +8V @ 1200 mA, Pout / Tone = +20 dBm
1
Information furnished by Analog Devices is believed to be accurate and reliable. However, no
responsibility is assumed by Analog Devices for its use, nor for any infringements of patents or other
rights of third parties that may result from its use. Specifications subject to change without notice. No
license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of Analog Devices.
Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners.
For price, delivery, and to place orders: Analog Devices, Inc.,
One Technology Way, P.O. Box 9106, Norwood, MA 02062-9106
Phone: 781-329-4700 • Order online at www.analog.com
Application Support: Phone: 1-800-ANALOG-D

HMC7357LP5GE相似产品对比

HMC7357LP5GE HMC7357LP5GETR EV1HMC7357LP5G
描述 RF Amplifier C-Band PA BOARD EVALUATION HMC7357LP5G
Brand Name Analog Devices Inc Analog Devices Inc -
是否无铅 含铅 含铅 -
是否Rohs认证 符合 符合 -
厂商名称 ADI(亚德诺半导体) ADI(亚德诺半导体) -
包装说明 LCC24,.2SQ,25 LCC24,.2SQ,25 -
针数 24 24 -
制造商包装代码 CP-24-20 CP-24-20 -
Reach Compliance Code compliant compliant -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
Samacsys Description IC MMIC AMP GAAS PHEMT 2A 24QFN GaAs pHEMT MMIC 2 WATT -
安装特点 SURFACE MOUNT SURFACE MOUNT -
功能数量 1 1 -
端子数量 24 24 -
最高工作温度 85 °C 85 °C -
最低工作温度 -40 °C -40 °C -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装等效代码 LCC24,.2SQ,25 LCC24,.2SQ,25 -
电源 8 V 8 V -
表面贴装 YES YES -
技术 GAAS GAAS -
Base Number Matches 1 1 -
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