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NTE823

产品描述Integrated Circuit Low Voltage Audio Amplifier
产品类别模拟混合信号IC    消费电路   
文件大小19KB,共3页
制造商NTE
官网地址http://www.nteinc.com
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NTE823概述

Integrated Circuit Low Voltage Audio Amplifier

NTE823规格参数

参数名称属性值
厂商名称NTE
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP8,.3
针数8
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
标称带宽300 kHz
商用集成电路类型AUDIO AMPLIFIER
增益26 dB
JESD-30 代码R-PDIP-T8
信道数量1
功能数量1
端子数量8
最高工作温度70 °C
最低工作温度
标称输出功率0.325 W
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP8,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源6 V
认证状态Not Qualified
最大压摆率8 mA
最大供电电压 (Vsup)12 V
最小供电电压 (Vsup)4 V
表面贴装NO
温度等级COMMERCIAL
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL

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NTE823
Integrated Circuit
Low Voltage Audio Amplifier
Description:
The NTE823 is an audio power amplifier in an 8–Lead DIP type package designed for use in low volt-
age consumer applications.
Absolute Maximum Ratings:
Supply Voltage, V
S
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15V
Power Dissipation, P
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 660mW
Input Voltage, V
I
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±0.4
Volts
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65°C to +150°C
Operating Temperature Range, T
opr
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0°C to +70°C
Operating Junction Temperature, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Lead Temperature (During Soldering, 10 sec), T
L
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +300°C
Electrical Characteristics:
(T
A
= +25°C, V
S
= 6V unless otherwise specified)
Parameter
Operating Supply Voltage
Quiescent Current
Power Output
Voltage Gain
Bandwidth
Total Harmonic Distortion
Power Supply Rejection Ratio
Output Resistance
Output Bias Current
Symbol
V
S
I
CC
P
O
A
V
BW
THD
PSRR
Z
O
Pin2 and Pin3 Open
V
IN
= 0
R
L
= 8Ω
f = 1kHz, 10µf from Pin1 to Pin8
Pin1 and Pin8 Open
R
L
= 8Ω , P
O
= 125mW, f = 1kHz,
Pin1 and Pin8 Open
f = 1kHz, C
bypass
= 10µf,
Pin1 and Pin8 Open
Test Conditions
Min
4
250
250
Typ
4
325
26
300
0.2
50
250
Max
12
8
Unit
V
mA
mW
dB
kHz
%
dB
kΩ
nA
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