Darlington Transistors 20A 100V Bipolar
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
| 零件包装代码 | TO-3 |
| 包装说明 | CASE 1-07, TO-3, 2 PIN |
| 针数 | 2 |
| 制造商包装代码 | CASE 1-07 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 20 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 100 V |
| 配置 | DARLINGTON |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 750 |
| JEDEC-95代码 | TO-3 |
| JESD-30 代码 | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 200 °C |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs) | 160 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | PIN/PEG |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 4 MHz |
| Base Number Matches | 1 |
| 2N6287 | 2N6284G | |
|---|---|---|
| 描述 | Darlington Transistors 20A 100V Bipolar | Darlington Transistors 20A 100V Bipolar Power PNP |
| 是否无铅 | 含铅 | 不含铅 |
| 零件包装代码 | TO-3 | TO-3 |
| 包装说明 | CASE 1-07, TO-3, 2 PIN | LEAD FREE, CASE 1-07, TO-3, 2 PIN |
| 针数 | 2 | 2 |
| 制造商包装代码 | CASE 1-07 | 1-07 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 20 A | 20 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 100 V | 100 V |
| 配置 | DARLINGTON | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 750 | 100 |
| JEDEC-95代码 | TO-3 | TO-204AA |
| JESD-30 代码 | O-MBFM-P2 | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码 | e0 | e3 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 2 |
| 最高工作温度 | 200 °C | 200 °C |
| 封装主体材料 | METAL | METAL |
| 封装形状 | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | 260 |
| 极性/信道类型 | PNP | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs) | 160 W | 160 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin (Sn) |
| 端子形式 | PIN/PEG | PIN/PEG |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | 40 |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 4 MHz | 4 MHz |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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