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E28F010-65

产品描述128K X 8 FLASH 12V PROM, 120 ns, PQCC32
产品类别存储    存储   
文件大小413KB,共30页
制造商Intel(英特尔)
官网地址http://www.intel.com/
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E28F010-65概述

128K X 8 FLASH 12V PROM, 120 ns, PQCC32

128K × 8 FLASH 12V 可编程只读存储器, 120 ns, PQCC32

E28F010-65规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Intel(英特尔)
零件包装代码TSOP
包装说明TSOP1, TSSOP32,.8,20
针数32
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最长访问时间65 ns
其他特性100000 ERASE/PROGRAM CYCLES
命令用户界面YES
数据轮询NO
耐久性100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-G32
JESD-609代码e0
长度18.4 mm
内存密度1048576 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装等效代码TSSOP32,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
编程电压12 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
切换位NO
类型NOR TYPE
宽度8 mm

E28F010-65相似产品对比

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描述 128K X 8 FLASH 12V PROM, 120 ns, PQCC32 128K X 8 FLASH 12V PROM, 120 ns, PQCC32 128K X 8 FLASH 12V PROM, 120 ns, PQCC32 128K X 8 FLASH 12V PROM, 120 ns, PQCC32 128K X 8 FLASH 12V PROM, 120 ns, PQCC32 128K X 8 FLASH 12V PROM, 120 ns, PQCC32 128K X 8 FLASH 12V PROM, 120 ns, PQCC32 128K X 8 FLASH 12V PROM, 120 ns, PQCC32
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 32 32 32 32 32 32 32 32
组织 128KX8 128K × 8 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8
表面贴装 YES Yes NO YES YES YES YES YES
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 GULL WING J BEND THROUGH-HOLE J BEND GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL QUAD DUAL DUAL DUAL DUAL
是否Rohs认证 不符合 - 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Intel(英特尔) - Intel(英特尔) Intel(英特尔) Intel(英特尔) Intel(英特尔) Intel(英特尔) Intel(英特尔)
零件包装代码 TSOP - DIP QFJ TSOP TSOP TSOP TSOP
包装说明 TSOP1, TSSOP32,.8,20 - DIP, DIP32,.6 QCCJ, LDCC32,.5X.6 TSOP1-R, TSSOP32,.8,20 TSOP1-R, TSSOP32,.8,20 TSOP1-R, TSSOP32,.8,20 TSOP1-R, TSSOP32,.8,20
针数 32 - 32 32 32 32 32 32
Reach Compliance Code unknow - unknow unknow unknow unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 65 ns - 65 ns 65 ns 120 ns 65 ns 150 ns 90 ns
其他特性 100000 ERASE/PROGRAM CYCLES - 100000 ERASE/PROGRAM CYCLES 100000 ERASE/PROGRAM CYCLES 100000 ERASE/PROGRAM CYCLES 100000 ERASE/PROGRAM CYCLES 100000 ERASE/PROGRAM CYCLES 100000 ERASE/PROGRAM CYCLES
命令用户界面 YES - YES YES YES YES YES YES
数据轮询 NO - NO NO NO NO NO NO
耐久性 100000 Write/Erase Cycles - 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-PDSO-G32 - R-PDIP-T32 R-PQCC-J32 R-PDSO-G32 R-PDSO-G32 R-PDSO-G32 R-PDSO-G32
JESD-609代码 e0 - e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 18.4 mm - 41.91 mm 13.97 mm 18.4 mm 18.4 mm 18.4 mm 18.4 mm
内存密度 1048576 bi - 1048576 bi 1048576 bi 1048576 bi 1048576 bi 1048576 bi 1048576 bi
内存集成电路类型 FLASH - FLASH FLASH FLASH FLASH FLASH FLASH
字数 131072 words - 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words
字数代码 128000 - 128000 128000 128000 128000 128000 128000
工作模式 ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C - 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
输出特性 3-STATE - 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP1 - DIP QCCJ TSOP1-R TSOP1-R TSOP1-R TSOP1-R
封装等效代码 TSSOP32,.8,20 - DIP32,.6 LDCC32,.5X.6 TSSOP32,.8,20 TSSOP32,.8,20 TSSOP32,.8,20 TSSOP32,.8,20
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE - IN-LINE CHIP CARRIER SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行 PARALLEL - PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 5 V - 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
编程电压 12 V - 12 V 12 V 12 V 12 V 12 V 12 V
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm - 4.83 mm 3.56 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
最大待机电流 0.0001 A - 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A
最大压摆率 0.03 mA - 0.03 mA 0.03 mA 0.03 mA 0.03 mA 0.03 mA 0.03 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V - 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V - 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V - 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
技术 CMOS - CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子节距 0.5 mm - 2.54 mm 1.27 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm
切换位 NO - NO NO NO NO NO NO
类型 NOR TYPE - NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE
宽度 8 mm - 15.24 mm 11.43 mm 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm
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