128K X 8 FLASH 12V PROM, 120 ns, PQCC32
128K × 8 FLASH 12V 可编程只读存储器, 120 ns, PQCC32
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Intel(英特尔) |
零件包装代码 | TSOP |
包装说明 | TSOP1, TSSOP32,.8,20 |
针数 | 32 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
最长访问时间 | 65 ns |
其他特性 | 100000 ERASE/PROGRAM CYCLES |
命令用户界面 | YES |
数据轮询 | NO |
耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G32 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 18.4 mm |
内存密度 | 1048576 bi |
内存集成电路类型 | FLASH |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 32 |
字数 | 131072 words |
字数代码 | 128000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 128KX8 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSOP1 |
封装等效代码 | TSSOP32,.8,20 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行 | PARALLEL |
电源 | 5 V |
编程电压 | 12 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.2 mm |
最大待机电流 | 0.0001 A |
最大压摆率 | 0.03 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.5 mm |
端子位置 | DUAL |
切换位 | NO |
类型 | NOR TYPE |
宽度 | 8 mm |
E28F010-65 | 28F010 | P28F010-65 | N28F010-65 | F28F010-120 | F28F010-65 | F28F010-150 | F28F010-90 | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
描述 | 128K X 8 FLASH 12V PROM, 120 ns, PQCC32 | 128K X 8 FLASH 12V PROM, 120 ns, PQCC32 | 128K X 8 FLASH 12V PROM, 120 ns, PQCC32 | 128K X 8 FLASH 12V PROM, 120 ns, PQCC32 | 128K X 8 FLASH 12V PROM, 120 ns, PQCC32 | 128K X 8 FLASH 12V PROM, 120 ns, PQCC32 | 128K X 8 FLASH 12V PROM, 120 ns, PQCC32 | 128K X 8 FLASH 12V PROM, 120 ns, PQCC32 |
内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 32 | 32 | 32 | 32 | 32 | 32 | 32 | 32 |
组织 | 128KX8 | 128K × 8 | 128KX8 | 128KX8 | 128KX8 | 128KX8 | 128KX8 | 128KX8 |
表面贴装 | YES | Yes | NO | YES | YES | YES | YES | YES |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子形式 | GULL WING | J BEND | THROUGH-HOLE | J BEND | GULL WING | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | DUAL | 四 | DUAL | QUAD | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
是否Rohs认证 | 不符合 | - | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Intel(英特尔) | - | Intel(英特尔) | Intel(英特尔) | Intel(英特尔) | Intel(英特尔) | Intel(英特尔) | Intel(英特尔) |
零件包装代码 | TSOP | - | DIP | QFJ | TSOP | TSOP | TSOP | TSOP |
包装说明 | TSOP1, TSSOP32,.8,20 | - | DIP, DIP32,.6 | QCCJ, LDCC32,.5X.6 | TSOP1-R, TSSOP32,.8,20 | TSOP1-R, TSSOP32,.8,20 | TSOP1-R, TSSOP32,.8,20 | TSOP1-R, TSSOP32,.8,20 |
针数 | 32 | - | 32 | 32 | 32 | 32 | 32 | 32 |
Reach Compliance Code | unknow | - | unknow | unknow | unknow | unknow | unknow | unknow |
ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
最长访问时间 | 65 ns | - | 65 ns | 65 ns | 120 ns | 65 ns | 150 ns | 90 ns |
其他特性 | 100000 ERASE/PROGRAM CYCLES | - | 100000 ERASE/PROGRAM CYCLES | 100000 ERASE/PROGRAM CYCLES | 100000 ERASE/PROGRAM CYCLES | 100000 ERASE/PROGRAM CYCLES | 100000 ERASE/PROGRAM CYCLES | 100000 ERASE/PROGRAM CYCLES |
命令用户界面 | YES | - | YES | YES | YES | YES | YES | YES |
数据轮询 | NO | - | NO | NO | NO | NO | NO | NO |
耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles | - | 100000 Write/Erase Cycles | 100000 Write/Erase Cycles | 100000 Write/Erase Cycles | 100000 Write/Erase Cycles | 100000 Write/Erase Cycles | 100000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G32 | - | R-PDIP-T32 | R-PQCC-J32 | R-PDSO-G32 | R-PDSO-G32 | R-PDSO-G32 | R-PDSO-G32 |
JESD-609代码 | e0 | - | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
长度 | 18.4 mm | - | 41.91 mm | 13.97 mm | 18.4 mm | 18.4 mm | 18.4 mm | 18.4 mm |
内存密度 | 1048576 bi | - | 1048576 bi | 1048576 bi | 1048576 bi | 1048576 bi | 1048576 bi | 1048576 bi |
内存集成电路类型 | FLASH | - | FLASH | FLASH | FLASH | FLASH | FLASH | FLASH |
字数 | 131072 words | - | 131072 words | 131072 words | 131072 words | 131072 words | 131072 words | 131072 words |
字数代码 | 128000 | - | 128000 | 128000 | 128000 | 128000 | 128000 | 128000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | - | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | - | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
输出特性 | 3-STATE | - | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSOP1 | - | DIP | QCCJ | TSOP1-R | TSOP1-R | TSOP1-R | TSOP1-R |
封装等效代码 | TSSOP32,.8,20 | - | DIP32,.6 | LDCC32,.5X.6 | TSSOP32,.8,20 | TSSOP32,.8,20 | TSSOP32,.8,20 | TSSOP32,.8,20 |
封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | - | IN-LINE | CHIP CARRIER | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行 | PARALLEL | - | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
电源 | 5 V | - | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
编程电压 | 12 V | - | 12 V | 12 V | 12 V | 12 V | 12 V | 12 V |
认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.2 mm | - | 4.83 mm | 3.56 mm | 1.2 mm | 1.2 mm | 1.2 mm | 1.2 mm |
最大待机电流 | 0.0001 A | - | 0.0001 A | 0.0001 A | 0.0001 A | 0.0001 A | 0.0001 A | 0.0001 A |
最大压摆率 | 0.03 mA | - | 0.03 mA | 0.03 mA | 0.03 mA | 0.03 mA | 0.03 mA | 0.03 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | - | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | - | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | - | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
技术 | CMOS | - | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子节距 | 0.5 mm | - | 2.54 mm | 1.27 mm | 0.5 mm | 0.5 mm | 0.5 mm | 0.5 mm |
切换位 | NO | - | NO | NO | NO | NO | NO | NO |
类型 | NOR TYPE | - | NOR TYPE | NOR TYPE | NOR TYPE | NOR TYPE | NOR TYPE | NOR TYPE |
宽度 | 8 mm | - | 15.24 mm | 11.43 mm | 8 mm | 8 mm | 8 mm | 8 mm |
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