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OPA541

产品描述1K SEEPROM Addressable Memory Device, -40C to +85C, 8-MSOP, T/R
文件大小74KB,共8页
制造商Burr-Brown
官网地址http://www.burr-brown.com/
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OPA541概述

1K SEEPROM Addressable Memory Device, -40C to +85C, 8-MSOP, T/R

OPA541相似产品对比

OPA541 OPA541SM OPA541AP OPA541BM
描述 1K SEEPROM Addressable Memory Device, -40C to +85C, 8-MSOP, T/R OP-AMP, 1000 uV OFFSET-MAX, 1.6 MHz BAND WIDTH, MBCY8 OP-AMP, 10000 uV OFFSET-MAX, 1.6 MHz BAND WIDTH, PSFM11 OP-AMP, 1000 uV OFFSET-MAX, 1.6 MHz BAND WIDTH, MBCY8
是否Rohs认证 - 不符合 不符合 不符合
厂商名称 - Burr-Brown Burr-Brown Burr-Brown
包装说明 - TO-3, 8 PIN PLASTIC, POWER PACK-11 TO-3, 8 PIN
Reach Compliance Code - unknow unknow unknow
放大器类型 - OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER
架构 - VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB) - 0.00005 µA 0.00005 µA 0.00005 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB) - 0.00005 µA 0.00005 µA 0.00005 µA
最小共模抑制比 - 95 dB 95 dB 95 dB
标称共模抑制比 - 113 dB 113 dB 113 dB
频率补偿 - YES YES YES
最大输入失调电压 - 1000 µV 10000 µV 1000 µV
JESD-30 代码 - O-MBCY-W8 R-PZFM-T11 O-MBCY-W8
JESD-609代码 - e0 e0 e0
低-偏置 - YES YES YES
低-失调 - NO NO NO
微功率 - NO NO NO
负供电电压上限 - -40 V -40 V -40 V
标称负供电电压 (Vsup) - -35 V -35 V -35 V
功能数量 - 1 1 1
端子数量 - 8 11 8
最高工作温度 - 125 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 - -55 °C -25 °C -25 °C
封装主体材料 - METAL PLASTIC/EPOXY METAL
封装等效代码 - CAN8/9,.5FL ZIP11,.2,.17,67TB CAN8/9,.5FL
封装形状 - ROUND RECTANGULAR ROUND
封装形式 - CYLINDRICAL FLANGE MOUNT CYLINDRICAL
功率 - YES YES YES
电源 - +-35 V +-35 V +-35 V
可编程功率 - NO NO NO
认证状态 - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最小摆率 - 6 V/us 6 V/us 6 V/us
标称压摆率 - 10 V/us 10 V/us 10 V/us
最大压摆率 - 25 mA 25 mA 25 mA
供电电压上限 - 40 V 40 V 40 V
标称供电电压 (Vsup) - 35 V 35 V 35 V
表面贴装 - NO NO NO
技术 - BIFET BIFET BIFET
温度等级 - MILITARY OTHER OTHER
端子面层 - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 - WIRE THROUGH-HOLE WIRE
端子位置 - BOTTOM ZIG-ZAG BOTTOM
标称均一增益带宽 - 1600 kHz 1600 kHz 1600 kHz
最小电压增益 - 31622.8 31622.8 31622.8
宽带 - NO NO NO

 
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