Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> JANS2N3019

JANS2N3019: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小204KB，共2页; 制造商Semicoa; 官网地址http://www.snscorp.com/Semicoa.htm; 标准

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JANS2N3019概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3

JANS2N3019规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	TO-5
包装说明	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	1 A
集电极-发射极最大电压	80 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	15
JEDEC-95代码	TO-5
JESD-30 代码	O-MBCY-W3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	200 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
极性/信道类型	NPN
最大功率耗散 (Abs)	0.8 W
认证状态	Qualified
参考标准	MIL-19500/391
表面贴装	NO
端子形式	WIRE
端子位置	BOTTOM
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	100 MHz
Base Number Matches	1

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2N3019

Silicon NPN Transistor

Data Sheet

Description

Semicoa Semiconductors offers:

•

Screening and processing per MIL-PRF-19500

Appendix E

•

JAN level (2N3019J)

•

JANTX level (2N3019JX)

•

JANTXV level (2N3019JV)

•

JANS level (2N3019JS)

•

QCI to the applicable level

•

100% die visual inspection per MIL-STD-750 method

2072 for JANTXV and JANS

•

Radiation testing (total dose) upon request

Applications

•

General purpose

•

Low power

•

NPN silicon transistor

Features

•

Hermetically sealed TO-5 metal can

Also available in chip configuration

Chip geometry 4500

Reference document:

MIL-PRF-19500/391

Benefits

Please contact Semicoa for special configurations

www.SEMICOA.com or (714) 979-1900

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current, Continuous

Power Dissipation, T

= 25

Derate linearly above 60

Power Dissipation, T

= 25

Derate linearly above 25

Thermal Resistance

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

Symbol

CEO

CBO

EBO

•

Qualification Levels: JAN, JANTX,

JANTXV and JANS

•

Radiation testing available

= 25°C unless otherwise specified

Rating

140

0.8

5.7

5.0

28.6

175

-65 to +200

Unit

Volts

mW/°C

°C/W

°C

θJA

STG

Rev. F

Semicoa Semiconductors, Inc.

333 McCormick Avenue, Costa Mesa, California 92626 714.979.1900, FAX 714.557.4541

Page 1 of 2

www.SEMICOA.com

JANS2N3019相似产品对比

	JANS2N3019	JANTXV2N3019	JANTX2N3019	JAN2N3019
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3
是否Rohs认证	符合	符合	不符合	符合
零件包装代码	TO-5	TO-5	TO-5	TO-5
包装说明	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数	3	3	3	3
Reach Compliance Code	compliant	compli	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	1 A	1 A	1 A	1 A
集电极-发射极最大电压	80 V	80 V	80 V	80 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	15	15	15	15
JEDEC-95代码	TO-5	TO-5	TO-5	TO-5
JESD-30 代码	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3
元件数量	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3
最高工作温度	200 °C	200 °C	200 °C	200 °C
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN
最大功率耗散 (Abs)	0.8 W	0.8 W	0.8 W	0.8 W
认证状态	Qualified	Qualified	Qualified	Qualified
参考标准	MIL-19500/391	MIL-19500/391	MIL-19500/391	MIL-19500/391
表面贴装	NO	NO	NO	NO
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz
Base Number Matches	1	1	1	1
峰值回流温度（摄氏度）	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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