IC ACT SERIES, 9-BIT REGISTERED TRANSCEIVER, TRUE OUTPUT, CQCC28, LCC-28, Bus Driver/Transceiver
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | National Semiconductor（TI ） |
| 包装说明 | LCC-28 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 其他特性 | WITH INDEPENDENT OUTPUT ENABLE FOR EACH DIRECTION |
| 控制类型 | INDEPENDENT CONTROL |
| 计数方向 | BIDIRECTIONAL |
| 系列 | ACT |
| JESD-30 代码 | S-CQCC-N28 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 11.43 mm |
| 逻辑集成电路类型 | REGISTERED BUS TRANSCEIVER |
| 最大I（ol） | 0.024 A |
| 位数 | 9 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 2 |
| 端子数量 | 28 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 输出极性 | TRUE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | QCCN |
| 封装等效代码 | LCC28,.45SQ |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 13.5 ns |
| 传播延迟（tpd） | 13.5 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 Class B |
| 座面最大高度 | 1.905 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 翻译 | N/A |
| 宽度 | 11.43 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| 54ACT899LMQB | 54ACT899DMQB | |
|---|---|---|
| 描述 | IC ACT SERIES, 9-BIT REGISTERED TRANSCEIVER, TRUE OUTPUT, CQCC28, LCC-28, Bus Driver/Transceiver | IC ACT SERIES, 9-BIT REGISTERED TRANSCEIVER, TRUE OUTPUT, CDIP28, J28A, Bus Driver/Transceiver |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | National Semiconductor（TI ） | National Semiconductor（TI ） |
| 包装说明 | LCC-28 | DIP, DIP28,.6 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| 其他特性 | WITH INDEPENDENT OUTPUT ENABLE FOR EACH DIRECTION | WITH INDEPENDENT OUTPUT ENABLE FOR EACH DIRECTION |
| 控制类型 | INDEPENDENT CONTROL | INDEPENDENT CONTROL |
| 计数方向 | BIDIRECTIONAL | BIDIRECTIONAL |
| 系列 | ACT | ACT |
| JESD-30 代码 | S-CQCC-N28 | R-GDIP-T28 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 逻辑集成电路类型 | REGISTERED BUS TRANSCEIVER | REGISTERED BUS TRANSCEIVER |
| 最大I（ol） | 0.024 A | 0.024 A |
| 位数 | 9 | 9 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 28 | 28 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
| 输出极性 | TRUE | TRUE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | QCCN | DIP |
| 封装等效代码 | LCC28,.45SQ | DIP28,.6 |
| 封装形状 | SQUARE | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V | 5 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 13.5 ns | 13.5 ns |
| 传播延迟（tpd） | 13.5 ns | 16 ns |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 Class B | MIL-STD-883 Class B |
| 座面最大高度 | 1.905 mm | 5.715 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | NO LEAD | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | QUAD | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 翻译 | N/A | N/A |
| 宽度 | 11.43 mm | 15.24 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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