Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 4 Pin
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
Objectid | 1439168575 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
YTEOL | 0 |
最大集电极电流 (IC) | 2 A |
集电极-发射极最大电压 | 100 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 20 |
JEDEC-95代码 | TO-111 |
JESD-30 代码 | O-MUPM-X4 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
最高工作温度 | 200 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | POST/STUD MOUNT |
极性/信道类型 | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 30 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | UNSPECIFIED |
端子位置 | UPPER |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 10 MHz |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved