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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> PZT751T1
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PZT751T1

产品描述SOT-223 PACKAGE HIGH CURRENT PNP SILICON TRANSISTOR SURFACE MOUNT
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小73KB，共6页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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PZT751T1在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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PZT751T1概述

SOT-223 PACKAGE HIGH CURRENT PNP SILICON TRANSISTOR SURFACE MOUNT

PZT751T1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Codeunknow
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)75
JEDEC-95代码TO-261AA
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.8 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)75 MHz
VCEsat-Max0.5 V

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