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5KP58B

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, Unidirectional, 1 Element, Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小176KB,共1页
制造商Diodes Incorporated
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5KP58B概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, Unidirectional, 1 Element, Silicon

5KP58B规格参数

参数名称属性值
厂商名称Diodes Incorporated
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最小击穿电压64.4 V
外壳连接ISOLATED
最大钳位电压103 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-LALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散5000 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
认证状态Not Qualified
最大反向电流10 µA
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
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