9013
NPN SILICON TRANSISTOR
TO
92
FEATURES
特
征
1.EMITTER
发 射 极
Power dissipation
P
CM
: 0.625
Collector current
I
CM
:
0.5
Collector-base voltage
V
(BR)CBO
: 45
最大耗散功率
2.BASE
W
A
Tamb=25
基 极
3.COLLECTOR
最大集电极电流
集
电 极
1 2 3
集电极--基极击穿电压
V
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
电
Parameter
参
数
Collector-base breakdown voltage
集 电 极
- -
基 极 击 穿 电 压
Collector-emitter breakdown voltage
集 电 极
- -
发 射 极 击 穿 电 压
Emitter-base breakdown voltage
发 射 极
- -
基 极 击 穿 电 压
Collector cut-off current
集电极
--
基极截止电流
Collector cut-off current
集电极
--
发射极截止电流
Emitter cut-off current
发射极
--
基极截止电流
Tamb=25
环境温度
Symbol
符 号
unless otherwise specified
除
非
另
有
MIN
最小值
特
性
规
定
MAX
最大值
UNIT
单½
Test conditions
测 试 条 件
TYP
典型值
V(BR)
CBO
V(BR)
CEO
V(BR)
EBO
I
CBO
I
CEO
I
EBO
H
FE
H
FE
1
Ic= 100
A
I
E
=0
I
B
=0
I
C
=0
I
E
=0
I
B
=0
I
C
=0
I
C
= 50 mA
I
C
=500 mA
45
25
5
0.1
0.1
0.1
64
40
0.6
1.2
1.4
300
V
V
V
A
A
A
Ic= 0. 1 mA
I
E
= 100
V
CB
= 40
V
CE
= 20
V
EB
=
V
CE
=
V
CE
=
5
A
V
V
V
DC current gain(note)
直 流 电 流 增 益
1 V,
1V,
2
Collector-emitter saturation voltage
集 电 极
- -
发 射 极 饱 和 压 降
Base-emitter saturation voltage
基极--发射极饱和压降
基极 发射极饱和压降
Base-emitter voltage
基 极
- -
发 射 极 正向 电压
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
V
BE
I
C
= 500 mA, I
B
=50 mA
I
C
= 500mA, I
B
= 50 mA
I
E
=100mA
V
CE
= 6 V,
I
C
= 20 mA
150
V
V
V
Transition frequency
特
征
频
率
f
T
分类
E
78-112
MHz
f =
30MHz
CLASSIFICATION OF H
FE(1)
Rank
档次
Range
范围
D
64-91
F
96-135
G
112-166
H
144-220
I
190-300
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